B los metales dopados tienen potencial para inhibir defectos puntuales y defectos en los límites de grano en el perovskita de haluro de plomo, pero la diferencia en el radio iónico entre los iones dopantes y los iones del huésped causa una tensión local significativa, limitando seriamente el tamaño de los granos en las películas. En este trabajo, se introdujo FA en el MAPbI₃ dopado con Co para relajar la tensión local y mejorar la calidad de las películas MAPbI₃. Los estudios experimentales y teóricos muestran que el dopaje con Co induce una tensión local de tracción significativa, mientras que el dopaje con FA puede relajar eficazmente esta tensión. Un estudio adicional indica que el dopaje con FA puede reducir simultáneamente los defectos en los límites de grano de las películas de MAPbI₃ dopadas con Co y regular su nivel de Fermi, inhibiendo eficazmente la recombinación no radiativa y mejorando el transporte de portadores en la interfaz MAPbI₃/ITO. Basándonos en estos resultados, se fabricó un fotodetector MAPbI₃/ITO eficiente sin capa de transporte, con una responsividad y eficiencia cuántica externa (EQE) de hasta 0,094 A/W y 28% respectivamente bajo sesgo cero. Este estudio proporciona una vía efectiva para obtener fotodetectores perovskita eficientes sin capa de transporte.

Dopaje Co; Dopaje Co-FA conjunto; Relajación de tensión; Fotodetección eficiente; MAPbI₃/ITO