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基于FA掺杂的Co掺杂MAPbI3应变弛豫和费米能级调控及高性能无传输层光电探测器
更新时间:2026-03-26
    • 基于FA掺杂的Co掺杂MAPbI3应变弛豫和费米能级调控及高性能无传输层光电探测器

      增强出版
    • FA doping for strain relaxation and Fermi energy management in B-site Co-doped MAPbI3 toward efficient transport layer-free photodetectors

    • 发光学报   2026年 页码:1-13
    • DOI:10.37188/CJL.20260088    

      中图分类号: Document
    • CSTR:32170.14.CJL.20260088    
    • 网络首发:2026-03-26

    移动端阅览

  • 陈明明,刘康媛,张慧敏等.基于FA掺杂的Co掺杂MAPbI3应变弛豫和费米能级调控及高性能无传输层光电探测器[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20260088 CSTR: 32170.14.CJL.20260088.

    Chen Mingming,Liu Kangyuan,Zhang Huimin,et al.FA doping for strain relaxation and Fermi energy management in B-site Co-doped MAPbI3 toward efficient transport layer-free photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20260088 CSTR: 32170.14.CJL.20260088.

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