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二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-01-30

    • 二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能

      增强出版

    • 2D h-BN Nanosheets as an Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-emitting Diodes

    • “量子点发光二极管（QLED）作为新一代显示技术的重要发展方向，其电子传输层（ETL）通常采用氧化锌（ZnO）材料。然而，ZnO过高的电子迁移率易导致发光层（EML）中载流子注入失衡，同时其表面氧空位等缺陷会引发非辐射复合。本研究创新性地引入六方氮化硼（h-BN）这一典型二维材料，在EML与ZnO界面间构建电子阻挡层。实验结果表明，h-BN的引入有效改善了器件内部载流子平衡，显著抑制了ZnO缺陷导致的发光猝灭。经h-BN界面修饰后，QLED器件的外量子效率（EQE）和电流效率（CE）分别达到17.31%和18.80 cd/A，相较参照器件实现了12.4%和7.43%的提升。该研究不仅揭示了二维材料在QLED器件中的创新应用价值，更为其在显示技术领域的深入开发提供了新的研究思路。”
    • 发光学报   2026年47卷第1期 页码：124-132

    • DOI：10.37188/CJL.20250220    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20250220    

    • 收稿：2025-09-23，

      修回：2025-10-13，

      纸质出版：2026-01-25

    移动端阅览

  • 王宁,张玉,杨苏文等.二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能[J].发光学报,2026,47(01):124-132. DOI： 10.37188/CJL.20250220. CSTR： 32170.14.CJL.20250220.

    WANG Ning,ZHANG Yu,YANG Suwen,et al.2D h-BN Nanosheets as an Efficient Electron Blocking Layer for Enhanced Performance of Quantum Dot Light-emitting Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(01):124-132. DOI： 10.37188/CJL.20250220. CSTR： 32170.14.CJL.20250220.

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