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漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-09-12

    • 漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响

      增强出版

    • Performance Degradations by Leaking Electrons in Organic Light-emitting Diodes Incorporating A p-doped Hole Transport Layer

    • 发光学报   2025年46卷第12期 页码：2334-2343

    • DOI：10.37188/CJL.20250179    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20250179    

    • 收稿：2025-06-26，

      修回：2025-07-15，

      纸质出版：2025-12-25

    移动端阅览

  • 刘子辰,秋梦宇,秦大山等.漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响[J].发光学报,2025,46(12):2334-2343. DOI： 10.37188/CJL.20250179. CSTR： 32170.14.CJL.20250179.

    LIU Zichen,QIU Mengyu,QIN Dashan,et al.Performance Degradations by Leaking Electrons in Organic Light-emitting Diodes Incorporating A p-doped Hole Transport Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(12):2334-2343. DOI： 10.37188/CJL.20250179. CSTR： 32170.14.CJL.20250179.

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华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室
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华南理工大学 高分子光电材料与器件研究所，发光材料与器件全国重点实验室
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