Einfluss des Leckstroms auf die p-dotierte Lochinjektionsschicht und die Leistung organischer Leuchtdioden

LIU Zichen ,  

QIU Mengyu ,  

QIN Dashan ,  

ZONG Wei ,  

摘要

Ein organischer Leuchtdiode wurde mit einer p-dotierten Lochinjektionsschicht aus Poly(3,4-ethylendioxythiophen)∶Poly(styrolsulfonsäure) (PEDOT∶PSS) hergestellt, und der Einfluss des Leckstroms (Elektronenstrom) auf PEDOT∶PSS und die Geräteleistung wurde untersucht. Die Studie ergab, dass injizierte Elektronen über Verzweigungswege, die durch Diffusion von der Kathode im Gerät gebildet werden, in PEDOT∶PSS eindringen können, wodurch PEDOT-Ionen zu neutralen PEDOT-Molekülen reduziert werden, was die Leitfähigkeit von PEDOT∶PSS verringert und zur Sättigung oder sogar Abnahme der Stromdichte und Leuchtdichte bei hohen Ansteuerspannungen führt. Die Erhöhung der Dicke der Leuchtsicht- oder Elektronensperrschicht, die Verwendung einer Elektronensperrschicht mit glatter Oberfläche sowie der Einsatz einer n-dotierten elektronischen Transportschicht helfen, die Diffusion von Kathodenatomen zu hemmen, die Bildung von Verzweigungswegen zu reduzieren, den Leckstrom zu verringern, die Breite der Exzitonen-Entstehungszone zu erhöhen und die Stabilität der Geräteleistung zu verbessern. Diese Studie bietet praktische Einblicke in die Entwicklung von p-i-n-typ organischen Leuchtdioden für hochhelle Anwendungen wie elektrisch gepumpte organische Laser und Mikrodisplays.

关键词

organische Leuchtdiode;elektronisches Leck;Leitfähigkeitsreduzierung;p-dotierte Lochtransportschicht;Geräteleistung;Stabilität

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