Effet du courant de fuite sur la couche d'injection de trous dopée de type p et les performances des diodes électroluminescentes organiques

LIU Zichen ,  

QIU Mengyu ,  

QIN Dashan ,  

ZONG Wei ,  

摘要

Un OLED a été préparé en utilisant une couche d'injection de trous dopée de type p composée de poly(3,4-éthylènedioxythiophène)∶poly(styrène sulfonate) (PEDOT∶PSS), et l'influence du courant de fuite (électronique) sur le PEDOT∶PSS et les performances du dispositif a été étudiée. L'étude a révélé que les électrons injectés pouvaient pénétrer dans le PEDOT∶PSS via des chemins de dérivation formés par diffusion à partir de la cathode dans le dispositif, réduisant les ions PEDOT en molécules neutres PEDOT, ce qui diminue la conductivité du PEDOT∶PSS et entraîne la saturation voire la diminution de la densité de courant et de la luminance à haute tension de commande. L'augmentation de l'épaisseur de la couche d'émission ou de la couche barrière électronique, l'utilisation d'une couche barrière électronique à surface plus lisse, et l'emploi d'une couche de transport électronique dopée de type n contribuent tous à inhiber la diffusion des atomes de cathode, réduisant ainsi la formation de chemins de dérivation, réduisant le courant de fuite, augmentant la largeur de la zone de génération d'excitons, et améliorant la stabilité des performances du dispositif. Cette étude fournit des perspectives pratiques pour le développement d'OLED p-i-n haute luminosité pour des applications telles que les lasers organiques pompés électriquement et les micro-afficheurs.

关键词

diode électroluminescente organique;fuite électronique;réduction de la conductivité;couche de transport de trous dopée de type p;performances du dispositif;stabilité

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