Использован слой внесения дырок с p-типом легирования на основе поли(3,4-этилендиокситиофена)∶поли(стиролсульфоната) (PEDOT∶PSS) для изготовления органического светодиода, исследовано влияние тока утечки (электронного тока) на PEDOT∶PSS и характеристики устройства. Исследование показало, что вводимые электроны могут проникать в PEDOT∶PSS через разветвленные пути, образованные диффузией с катода внутри устройства, восстанавливая ионы PEDOT до нейтральных молекул PEDOT, что снижает проводимость PEDOT∶PSS, приводя к насыщению и даже снижению плотности тока и яркости при высоком рабочем напряжении. Увеличение толщины светового или электронного барьерного слоя, использование электронного барьерного слоя с гладкой поверхностью, а также применение n-типа легированного электронного транспортного слоя помогает подавить диффузию атомов катода, уменьшить образование разветвленных путей, снизить ток утечки, увеличить ширину генерации экситонов и повысить стабильность характеристик устройства. Это исследование предоставляет практические рекомендации для развития p-i-n органических светодиодов с высокой яркостью для таких приложений, как электрически накачиваемые органические лазеры и микро-дисплеи.

органический светодиод;электронная утечка;снижение проводимости;p-легированный слой переноса дырок;характеристики устройства;стабильность