Se preparó un diodo orgánico emisor de luz usando una capa de inyección de huecos dopada tipo p de poli(3,4-etilendioxitiofeno)∶poli(estirenosulfonato) (PEDOT∶PSS), y se estudió el efecto de la corriente de fuga (electrónica) sobre el PEDOT∶PSS y el rendimiento del dispositivo. El estudio encontró que los electrones inyectados pueden penetrar en el PEDOT∶PSS a través de caminos de derivación formados por difusión del cátodo dentro del dispositivo, reduciendo los iones PEDOT a moléculas neutras de PEDOT, lo que disminuye la conductividad del PEDOT∶PSS y provoca saturación y hasta disminución de la densidad de corriente y luminancia a alto voltaje de conducción. Aumentar el grosor de la capa emisora o la capa barrera electrónica, usar una capa barrera electrónica con superficie más lisa y emplear una capa de transporte electrónico dopada tipo n ayudan a inhibir la difusión de átomos del cátodo, reducir la formación de caminos de derivación, disminuir la corriente de fuga, aumentar el ancho de la zona de generación de excitones y mejorar la estabilidad del rendimiento del dispositivo. Este estudio proporciona ideas prácticas para el desarrollo de diodos orgánicos emisores de luz p-i-n de alta luminosidad para aplicaciones como láseres orgánicos bombeados eléctricamente y micropantallas.

diodo orgánico emisor de luz;fuga electrónica;reducción de conductividad;capa de transporte de huecos dopada tipo p;rendimiento del dispositivo;estabilidad