您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2025-12-25
    • 漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响

      增强出版
    • Performance Degradations by Leaking Electrons in Organic Light-emitting Diodes Incorporating A p-doped Hole Transport Layer

    • 在有机发光二极管领域,研究者采用p型掺杂层PEDOT∶PSS,发现漏电流影响器件性能,为高亮度应用提供见解。
    • 发光学报   2025年46卷第12期 页码:2334-2343
    • DOI:10.37188/CJL.20250179    

      中图分类号: TN312.8
    • CSTR:32170.14.CJL.20250179    
    • 收稿:2025-06-26

      修回:2025-07-15

      纸质出版:2025-12-25

    移动端阅览

  • 刘子辰,秋梦宇,秦大山等.漏电流对p型掺杂空穴注入层和有机发光二极管性能的影响[J].发光学报,2025,46(12):2334-2343. DOI: 10.37188/CJL.20250179. CSTR: 32170.14.CJL.20250179.

    LIU Zichen,QIU Mengyu,QIN Dashan,et al.Performance Degradations by Leaking Electrons in Organic Light-emitting Diodes Incorporating A p-doped Hole Transport Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(12):2334-2343. DOI: 10.37188/CJL.20250179. CSTR: 32170.14.CJL.20250179.

  •  
  •  

0

浏览量

92

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

有机发光二极管老化机制
基于含氯配体后处理CsPbBr3纳米晶用于青光LED
稀土掺杂金属氧化物薄膜晶体管研究进展

相关作者

刘子辰
秋梦宇
秦大山
宗威
牛泉
郝洪敏
林雯欣
黄江夏

相关机构

河北工业大学 化工学院,天津 北辰
华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室
五邑大学 应用物理与材料学院
福州大学 物理与信息工程学院,平板显示技术国家和地方联合工程实验室
中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室)
0