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具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究
器件制备及器件物理 | 更新时间：2025-01-10
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    • 具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究

      增强出版

    • Simulation on Nitrogen-polar InGaN-based Red Light-emitting Diodes with Compositionally Graded Quantum Barrier Layer

    • “在Micro LED显示领域，科研人员利用极化工程构建了组分渐变InGaN作为最后量子垒层的氮极性InGaN基红光LED，有效提升了发光性能。”
    • 发光学报   2024年45卷第12期 页码：2037-2044

    • DOI：10.37188/CJL.20240299    

      中图分类号： TN312.8

    • 收稿日期：2024-11-14，

      修回日期：2024-11-21，

      纸质出版日期：2024-12-25

    移动端阅览

  • 纪泽婷,邓高强,王昱森等.具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究[J].发光学报,2024,45(12):2037-2044. DOI： 10.37188/CJL.20240299.

    JI Zeting,DENG Gaoqiang,WANG Yusen,et al.Simulation on Nitrogen-polar InGaN-based Red Light-emitting Diodes with Compositionally Graded Quantum Barrier Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(12):2037-2044. DOI： 10.37188/CJL.20240299.

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厦门大学 物理学系， 微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心， 福建省半导体材料及应用重点实验室， 半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心
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北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心
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