您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究
器件制备及器件物理 | 更新时间：2025-01-10
|

    • 具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究

      增强出版

    • Simulation on Nitrogen-polar InGaN-based Red Light-emitting Diodes with Compositionally Graded Quantum Barrier Layer

    • “在Micro LED显示领域，科研人员利用极化工程构建了组分渐变InGaN作为最后量子垒层的氮极性InGaN基红光LED，有效提升了发光性能。”
    • 发光学报   2024年45卷第12期 页码：2037-2044

    • DOI：10.37188/CJL.20240299    

      中图分类号： TN312.8

    • 纸质出版日期：2024-12-25，

      收稿日期：2024-11-14，

      修回日期：2024-11-21，

    移动端阅览

  • 纪泽婷, 邓高强, 王昱森, 等. 具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究[J]. 发光学报, 2024,45(12):2037-2044. DOI： 10.37188/CJL.20240299.

    JI ZETING, DENG GAOQIANG, WANG YUSEN, et al. Simulation on Nitrogen-polar InGaN-based Red Light-emitting Diodes with Compositionally Graded Quantum Barrier Layer. [J]. Chinese journal of luminescence, 2024, 45(12): 2037-2044. DOI： 10.37188/CJL.20240299.

  •  
  •  

0

浏览量

44

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计
In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究
p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理
量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响

相关作者

张源涛
张宝林
高浩哲
左长财
纪泽婷
邓高强
王昱森
于佳琪

相关机构

吉林大学 电子科学与工程学院，集成光电子国家重点联合实验室
厦门大学 物理学系， 微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心， 福建省半导体材料及应用重点实验室， 半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心
厦门市未来显示技术研究院 嘉庚创新实验室
北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心
安徽工程大学 检测技术与节能装置安徽省重点实验室
0