Las pantallas Micro LED basadas en materiales de nitruro del grupo III requieren LEDs rojos de alto rendimiento basados en InGaN. Este trabajo utiliza ingeniería de polarización para construir un InGaN con composición gradual como la última barrera cuántica (LQB) en un LED rojo InGaN con polaridad de nitrógeno. La simulación numérica muestra que el campo de polarización opuesto en el LED InGaN con polaridad de nitrógeno mejora eficazmente la capacidad del pozo cuántico para confinar los portadores y reduce el voltaje de umbral del dispositivo. Es importante destacar que, en el LED InGaN con polaridad de nitrógeno, la capa LQB de InGaN con composición gradual y la interfaz p-GaN forman simultáneamente pozos de potencial para electrones y huecos, lo que da lugar a una emisión radiativa eficiente y mejora efectivamente el rendimiento luminoso del LED rojo basado en InGaN. Este trabajo proporciona nuevas ideas para el diseño de estructuras y la fabricación de dispositivos LED rojos eficientes basados en InGaN.

InGaN; ingeniería de polarización; LED rojo