دراسة محاكاة لLED أحمر قائم على InGaN مستقطب بالنيتروجين مع طبقة حاجز كمي متدرجة المكونات

JI Zeting ,  

DENG Gaoqiang ,  

WANG Yusen ,  

YU Jiaqi ,  

ZUO Changcai ,  

GAO Haozhe ,  

DUAN Bin ,  

ZHANG Baolin ,  

ZHANG Yuantao ,  

摘要

تتطلب شاشات Micro LED القائمة على مواد النتريد من المجموعة الثالثة LED أحمر عالي الأداء قائم على InGaN. يستفيد هذا العمل من هندسة الاستقطاب لبناء InGaN متدرج المكونات كطبقة الحاجز الكمي الأخيرة (الطبقة الحاجزة الكمية الأخيرة، LQB) في LED أحمر قائم على InGaN مستقطب بالنيتروجين. أظهرت الدراسات العددية أن الحقل الاستقطابي المعاكس في LED المستقطب بالنيتروجين القائم على InGaN يعزز بشكل فعال قدرة الحاجز الكمي على احتجاز حاملات الشحنة ويخفض جهد تشغيل الجهاز. والأهم من ذلك، في LED المستقطب بالنيتروجين القائم على InGaN، يتشكل في واجهة طبقة LQB المتدرجة المكونات من InGaN وطبقة p-GaN فجوات طاقة للإلكترونات والثقوب على حد سواء، مما يؤدي إلى ضوء إشعاعي عالي الكفاءة، وبالتالي يحسن أداء الإضاءة في LED الأحمر القائم على InGaN. يوفر هذا العمل فكرة جديدة لتصميم هيكل LED الأحمر القائم على InGaN وإعداد الأجهزة الفعالة.

关键词

InGaN;هندسة الاستقطاب;LED أحمر

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website