Моделирование красного нитридного InGaN LED с градиентным квантовым барьером и азотной полярностью
摘要
Micro LED-дисплеи на основе нитридных материалов III группы требуют высокопроизводительных красных светодиодов на базе InGaN. В этой работе используется поляризационная инженерия для создания градиентного InGaN в качестве последнего квантового барьера (LQB) в нитридном InGaN-красном светодиоде с азотной полярностью. Численное моделирование показывает, что противоположное поляризационное поле в азотно-полярных InGaN LED эффективно усиливает ограничение носителей заряда квантовой ямой и снижает напряжение включения устройства. Важно, что на границе градиентного LQB из InGaN и p-GaN в азотно-полярных InGaN LED одновременно формируются ловушки электронов и дырок, что приводит к высокой эффективности излучения и значительно улучшает светоотдачу красного LED на базе InGaN. Данная работа предоставляет новые идеи для проектирования структуры и изготовления высокоэффективных красных InGaN LED.
关键词
InGaN;поляризационная инженерия;красный LED
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website