Les écrans Micro LED basés sur des matériaux nitrures du groupe III nécessitent des LED rouges à base de InGaN haute performance. Ce travail utilise l'ingénierie de polarisation pour construire un InGaN à composition graduée comme dernière barrière quantique (LQB) dans une LED rouge InGaN à polarité azotée. Les simulations numériques montrent que le champ de polarisation opposé dans la LED InGaN azotée renforce efficacement la capacité du puits quantique à confiner les porteurs et réduit la tension de seuil de l'appareil. Il est important de noter que dans cette LED InGaN azotée, la couche LQB InGaN à composition graduée et l'interface p-GaN forment à la fois des puits de potentiel pour les électrons et les trous, générant ainsi une émission radiative efficace et améliorant de manière significative les performances lumineuses de la LED rouge InGaN. Ce travail offre une nouvelle approche pour la conception de structures et la fabrication de dispositifs de LED rouges InGaN à haute efficacité.

InGaN; ingénierie de polarisation; LED rouge