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    • “日盲紫外光探测技术在特种通信领域取得新进展，专家综述了光谱转换技术的研究进展，为提升探测效率提供新思路。”

      付丽丽, 张仓平, 张琦, 郑锐林

      DOI：10.37188/CJL.20240330
      摘要：日盲紫外波段因其独特的低背景噪声、高局域保密性及强抗干扰性，在特种通信领域具有广泛的应用。然而，现有硅基探测器对日盲紫外光探测效率低、响应度差的问题制约了其发展。基于光谱转换的日盲紫外光探测技术，克服了直接探测技术中的诸多限制，具有低成本、高稳定性、高兼容性、工艺成熟等优势，成为日盲紫外光探测领域的重要研究方向之一。本文综述了基于光谱转换的日盲紫外光探测的研究进展。首先，阐释了光谱转换日盲紫外光探测器的应用及分类；其次，总结了近年来在日盲紫外成像和日盲紫外光通信领域的高效率探测方案及研究进展；最后，对基于光谱转换的日盲紫外光探测技术的未来发展趋势进行了展望。  
      关键词：日盲紫外;光谱转换;光探测器;发光材料   
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      更新时间：2025-01-15
    • “在LED全光谱光源领域，研究者采用高温固相法制备了Bi3+掺杂石榴石结构的固溶体发光材料GdSr2ScMgGe3O12，实现了紫外光-紫光范围内的有效激发，为低蓝光全光谱WLED提供了解决方案。”

      邓文杰, 王海怡, 黄得财, 彭家庆, 叶信宇

      DOI：10.37188/CJL.20240308
      摘要：蓝青光发光材料在实现荧光粉转换型LED全光谱光源中发挥着重要作用。采用高温固相法制备了Bi3+掺杂石榴石结构的固溶体发光材料GdSr2ScMgGe3O12。通过XRD结构精修、元素分析、光致光谱等表征对材料结构、组成和发光性能进行了全面分析。GdSr2ScMgGe3O12：Bi3+能够在紫外光-紫光范围内有效激发，分别表现出近紫外光发射（λem = 340 nm）和宽带蓝青光发射（λem = 480 nm），并对Bi3+的发光跃迁机理进行了阐述。结合材料的结构和发光特性得出Bi3+在该固溶体材料中同时占据［Sr/GdO8］和［Sc/MgO6］，重点分析了Bi3+占据［Sc/MgO6］格位的蓝青光发射行为，并对材料的发光效率和荧光热稳定性进行了评估。最后，将制备的蓝青色荧光材料应用于WLED的封装，获得了具有低色温（CCT = 3761 K）和高显色指数（CRI = 92.3）的低蓝光全光谱WLED。  
      关键词：Bi3+掺杂;全光谱照明;WLED;青色发光材料   
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      更新时间：2025-01-10
    • “在柔性OLED领域，研究人员通过在TPU表面沉积PEDOT：PSS涂层改善表面质量，成功制备高性能柔性OLED，为柔性电子器件应用提供新思路。”

      李欣奕, 吴丽双, 杨惠山, 张乐天, 谢文法, 刘士浩

      DOI：10.37188/CJL.20240352
      摘要：柔性OLED的发展依赖高性能柔性衬底的支持。热塑性聚氨酯（TPU）是一种兼具柔韧性和高强度的高分子材料，因其软链段与硬链段交替排列的结构，展现出应用于柔性OLED衬底的潜力。然而，商用TPU表面常存在微观不平整，这对高精度柔性OLED的制造造成不利影响，可能导致光学和电性能下降。为解决这一问题，本研究通过溶液加工在TPU表面沉积聚（3，4-乙二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT：PSS）涂层以改善表面质量。结果显示，PEDOT：PSS涂层将TPU表面粗糙度从7.05 nm显著降低至2.19 nm，提高了后续功能涂层（如发光层和电极层）的沉积均匀性。基于修饰后的TPU衬底，成功制备顶发射和底发射柔性OLED，最高外量子效率分别达16.0%和15.2%，并表现出优异的柔性显示性能。本研究为TPU在柔性OLED及其他柔性电子器件中的应用提供了新思路和支持，具有重要前景。  
      关键词：有机电致发光器件;柔性衬底;热塑性聚氨酯;表面修饰   
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      更新时间：2025-01-10
    • “在X射线成像技术领域，专家综述了闪烁体光产额测量方法，并提出了基于光收集系数修正的绝对测量新方法，为提升成像系统空间分辨率和新型闪烁体研发提供解决方案。”

      张誉戈, 马舸, 万鹏颖, 鲍子臻, 欧阳潇, 刘林月, 欧阳晓平

      DOI：10.37188/CJL.20240310
      摘要：闪烁成像屏是X射线成像技术的核心部件，其光产额的精确测定对于提升成像系统的空间分辨率和推动新型闪烁体的研发具有至关重要的作用。本文首先概述了X射线成像技术的基本原理，随后系统地综述了当前X射线成像闪烁体光产额测量的主要方法。这些方法既包括基于能谱和X射线激发光谱的相对测量法，也涵盖了利用光电倍增管（PMT）和光电二极管（PD）或雪崩光电二极管（APD）的绝对测量法。与此同时，本文深入剖析了封装与耦合技术、放射源的能量特性与粒子种类、用于光产额测量的光电探测器种类等多种因素对光产额测量结果可能产生的潜在影响。另外，本文提出了一种基于光收集系数修正的绝对光产额测量方法。该方法有效地结合了利用PMT和PD的绝对法测量的优势，不仅能够实现大范围光产额测量，覆盖百光子量级的光输出，还保持了5％的低测量不确定度。  
      关键词：闪烁成像屏;光产额;测量方法;不确定度优化   
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      更新时间：2025-01-10

    • 蒋博瑞, 宋博翔, 陈恩果, 罗家俊, 唐江

      DOI：10.37188/CJL.20240317
      摘要：光刻法是一种制备Micro-LED像素化色转换薄膜的可靠方案，但存在量子点与光刻胶兼容性的难题。本文开发了一种通过N-苯基马来酰亚胺（NPMI）侧链改性的丙烯酸树脂制备兼容量子点的光刻胶，侧链基团上C=O键能与量子点形成配位键从而钝化表面缺陷，并提高量子点分散性，使光刻胶溶液的量子产率（PLQY）达到红色（76.1%）和绿色（43.4%）。最终制备色转换薄膜时钝化效果仍然存在，绿色和红色的PLQY分别达到了66.4%和36.4%，像素化图形最小尺寸可实现10 μm × 10 μm的矩形阵列。本研究中的树脂侧链改性方法为开发兼容量子点的光刻胶提供了指导，为Micro-LED全彩化的商业化应用提供了一种简便且可行的解决方案。  
      关键词：量子点光刻胶;色转换;树脂改性;像素化   
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      更新时间：2025-01-09
    • “钙钛矿发光二极管作为新型显示技术核心部件，钙钛矿LED研究取得进展，为无毒化钙钛矿材料提供参考。”

      黄大誉, 刘冬杰, 党佩佩, 连洪洲, 林君

      DOI：10.37188/CJL.20240305
      摘要：发光二极管是新型显示技术的核心部件，更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术，具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势，是国内外光电器件领域的研究热点。然而，需要使用对环境有害的卤化铅钙钛矿才能实现高功率转换效率。目前，卤化锡钙钛矿因具有低的激子结合能和良好的电荷载流子迁移率成为最有前途的替代品。由于具有相似的离子半径与价态，锡（Sn）可以部分或完全替换有毒的铅（Pb）来实现卤化铅钙钛矿的低铅化或无毒化；同时，Sn部分或完全替换Pb会产生新的发光性质。尽管锡基卤化物钙钛矿在提升光电性能方面取得了较大的进展，但其制备的发光器件参数仍低于铅基卤化物钙钛矿。本文旨在详细综述锡基卤化物钙钛矿的合成制备和光电特性方面的研究进展及其面临的挑战，探讨晶体结构与光电性能之间的构效关系，回顾锡基钙钛矿在电致发光器件应用方面的研究进展，主要集中在采取策略来改善锡基钙钛矿材料的薄膜特性，以提高器件性能。该综述为锡基金属卤化物钙钛矿的合成、发光性能与LED应用提供一份参考资料。  
      关键词：金属卤化物钙钛矿;锡基;电致发光器件;LED   
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      更新时间：2025-01-09
    • “最新研究发现，有机小分子钝化材料结合自组装空穴传输材料，有效提升钙钛矿太阳电池效率和稳定性。”

      王瑶, 黎伟乐, 马梦恩, 杨恢东, 陈谦, 弓箭, 刘冲

      DOI：10.37188/CJL.20240302
      摘要：反式钙钛矿太阳电池的埋底界面的缺陷是制约太阳电池器件效率和稳定性的重要原因，使用有机小分子钝化界面可以有效减少界面的缺陷，降低载流子的非辐射复合。本文通过将一种钝化材料与自组装空穴传输材料结合，一步实现具有二维钙钛矿材料钝化的埋底界面，实现了效率的提升。最终，经埋底界面钝化，刮涂制备的钙钛矿太阳电池实现了21.42%的能量转换效率。同时，我们还制作了孔径面积为21.5 cm2的太阳能光伏组件，得到了21.02%的效率，并在封装后在85 ⁰C和85%湿度的条件下稳定运行了近1000 h，证明了该方法的在大面积器件上的可拓展性和可靠性。  
      关键词：钙钛矿太阳电池;埋底界面;钝化;自组装单层;高效率   
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      更新时间：2025-01-09
    • “InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料研究取得新进展，通过合理设计插入层显著提高量子阱光学性能。”

      赵书存, 王海珠, 王登魁, 甘露露, 王祯胜, 吕明辉, 马晓辉

      DOI：10.37188/CJL.20240318
      摘要：InAlGaAs/AlGaAs 多量子阱 （MQWs）因其较宽的光谱范围，在近红外可见光领域受到越来越多的关注，并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术，制备InAlGaAs/AlGaAs多量子阱材料，依据选取插入层 （ISL） 材料时需要考虑的主要因素及理论计算，探究插入层结构对量子阱发光性质的影响。设计并生长无插入层的InAlGaAs量子阱及不同厚度不同Al组分的AlGaAs插入层。实验结果表明，插入层的引入显著提高了量子阱的发光强度，虽然样品中本身存在局域态，但插入层的存在并未引入更多局域态，同时插入层的存在不会改变量子阱中载流子复合机制。研究结果为InAlGaAs量子阱的结构优化及插入层技术提供了重要的理论分析和实验数据，表明通过合理设计插入层可以显著提高InAlGaAs量子阱的光学性能。  
      关键词：InAlGaAs多量子阱;插入层;金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）   
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      更新时间：2025-01-08
    • “In the field of energy harvesting microsystems, rectifying circuit technology has made significant progress. Expert xx optimized the performance of rectifying diodes by modulating the oxygen vacancy concentration within InGaZnO films, laying a foundation for the construction of energy conversion and management systems.”

      贾斌, 童晓闻, 韩子康, 秦明, 王立峰, 黄晓东

      DOI：10.37188/CJL.20240265
      摘要：整流电路作为交流转换直流的关键组件，在能量收集微系统中发挥着关键作用。传统硅基或锗基整流二极管因其特殊的制造工艺，阻碍了系统集成。相比之下，金属氧化物二极管凭借其简单的制备技术，在系统集成方面展现出优势。氧化物半导体的氧空位缺陷会对器件的电学性能产生很大影响，因此通过调节氧空位浓度可以有效调控二极管的性能。为优化二极管性能，本研究通过调整溅射过程中的氧气流量，有效调控InGaZnO薄膜中的氧空位浓度。实验结果显示，该二极管在1 V电压下具有43.82 A cm-2的正向电流密度，器件整流比为6.94 × 104，能够高效整流1 kHz、5 V的输入正弦信号，彰显了其在能量转换与管理方面的巨大潜力。通过调控氧空位，为优化整流二极管性能提供了思路和方法。  
      关键词：InGaZnO;肖特基势垒二极管;氧空位;整流性能   
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      更新时间：2025-01-03

    • 张佳辰, 李盼盼, 李金钗, 黄凯, 李鹏岗

      DOI：10.37188/CJL.20240323
      摘要：微型发光二极管（Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED）以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性，广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而，Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率，常使用图形蓝宝石衬底（Patterned Sapphire Substrate， PSS）技术，通过微米级图形单元优化光提取率。在大尺寸LED中，PSS对光强空间分布影响较小，但在微米级Micro-LED中影响显著。本文采用光线追迹方法，系统研究了发光波长为460 nm的不同尺寸PSS Micro-LED在不同阵列偏移下的光强空间分布，并量化了光强空间分布的非对称率，最后解释了该现象。结果表明，随着尺寸减小，PSS对光强空间分布影响增大。当尺寸为3×5 μm²时，在y轴和x轴的光强空间分布的非对称率达3.06%和4.22%，从而影响Micro-LED发光均匀性。本研究为Micro-LED在显示应用中的优化设计提供了理论支持。  
      关键词：Micro-LED;PSS;非对称率   
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      更新时间：2025-01-03
    • “最新研究发现，铜掺杂碳点能有效识别并降解水中部分水解聚丙烯酰胺，为污染物处理提供新策略。”

      施伟光, 孙晓静, 邵丹阳, 李昌升, 董彪

      DOI：10.37188/CJL.20240311
      摘要：以L-色氨酸、叶酸和氯化铜为原料，采用自下而上的方法水热合成了特异性识别部分水解聚丙烯酰胺（HPAM）的铜掺杂碳点（Cu-CDs）。采用透射电子显微电镜、X射线光电子能谱和稳态瞬态荧光光谱等表征方法对碳点结构、HPAM识别机制与降解性能进行了研究。结果表明，Cu-CDs的量子产率为60%，具有抗离子干扰特性，特异性识别水中的HPAM。在1~1000 mg/L范围内，Cu-CDs的比率荧光强度（I360/I450）和HPAM浓度呈现良好的线性关系，最低检测限为0.27 mg/L。经365 nm紫外光照射2 h，Cu-CDs 催化HPAM的降解率为78%，而且经过5个降解循环后，仍保持较高的降解率（67%），展现出优异的光催化稳定性。本研究为精准识别与降解HPAM，实现高效的污染物处理提供了一种可行策略。  
      关键词：比率荧光碳点;部分水解聚丙烯酰胺;特异性识别;光催化降解   
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      更新时间：2025-01-03
    • “在紫外光电探测领域，氧锌镁材料特性丰富，研究进展显著，为紫外探测器应用提供新可能。”

      朱勇学, 程祯, 刘可为, 申德振

      DOI：10.37188/CJL.20240307
      摘要：氧锌镁（ZnMgO）是由宽禁带半导体材料氧化锌（ZnO）和氧化镁（MgO）构成的三元合金，作为直接带隙宽禁带半导体，其禁带宽度理论上可在ZnO的3.37 eV 和MgO的7.8 eV之间连续可调，并且具有纳米结构丰富、制备温度低、抗辐射能力强、稳定性高等特性，是一种优异的紫外光电探测材料。更为有趣的是，除了上述优点外，ZnMgO还具备压电性、热释电性和铁电性等丰富的物理性质，为其紫外探测器的应用拓展提供新的可能，相关研究也成为近年来紫外探测领域的研究热点。鉴于此，本论文全面综述了ZnMgO丰富的材料特性，重点介绍和讨论了能带工程、铁电/热释电/压电极化、低维结构等在其紫外探测器件的结构设计、性能调控和应用发展等方面的研究进展。  
      关键词：氧锌镁;紫外探测器;能带工程;纤锌矿铁电;柔性器件   
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      更新时间：2024-12-31
    • “最新研究显示，掺杂稀土氧化物的Ga2O3-B2O3-ZnO-TiO2-Tb2O3玻璃在光电功能材料领域具有潜在应用价值。”

      王丽, 李娜, 朱忠丽

      DOI：10.37188/CJL.20240316
      摘要：采用高温熔融法制备了掺杂不同稀土氧化物（Pr6O11，Ho2O3，Dy2O3）的Ga2O3-B2O3-ZnO-TiO2-Tb2O3玻璃。研究了掺杂不同稀土氧化物对Ga2O3-B2O3-ZnO-TiO2-Tb2O3玻璃的结构、物理性质、光学性质和磁光性质的影响。掺杂不同稀土氧化物后，玻璃的密度、折射率和Verdet常数均有所增加。随着入射光波长和温度的增加，玻璃的Verdet常数的绝对值逐渐降低。在温度为298.15 K、入射光波长633 nm的条件下，当Tb2O3和Ho2O3的掺杂量分别为40 mol%和1 mol%时，玻璃的Verdet常数达到-156.45 rad/（T·m），高于商用的Tb3Ga5O12晶体（-134 rad/（T·m））；温度为298.15 K和入射光波长为515 nm时，玻璃的Verdet常数达到-189.80 rad/（T·m），这表明其在光电功能材料领域具有潜在的应用价值。  
      关键词：Ga2O3-B2O3-ZnO-TiO2玻璃;Tb3+掺杂;Verdet常数;磁光性能   
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      更新时间：2024-12-30
    • “据最新报道，宽带隙氧化物半导体深紫外探测器研究取得进展，非晶Ga2O3薄膜性能优异，氧空位缺陷调控提升器件性能，为深紫外探测应用奠定基础。”

      梁会力, 朱锐, 杜小龙, 梅增霞

      DOI：10.37188/CJL.20240266
      摘要：宽带隙半导体在研制无滤光片紧凑型日盲紫外探测器方面具有极大的发展潜力。本文结合本团队在分子束外延MgZnO单晶薄膜和磁控溅射非晶Ga2O3薄膜以及相应日盲紫外探测器的研究经验，综述了以MgZnO和非晶Ga2O3为代表的宽带隙氧化物半导体深紫外探测器的研究进展，发现非晶Ga2O3薄膜拥有不输于单晶薄膜的深紫外响应特性。众多研究结果表明，氧空位相关缺陷对器件性能起着至关重要的作用，对其进行合理调控可有效提升器件性能。此外，与氧空位缺陷相伴的持续光电导效应为开发深紫外光电突触器件提供了新的研究视角。最后，针对上述研究中存在的问题进行剖析总结，期望进一步推动宽带隙氧化物半导体材料，尤其非晶Ga2O3材料在未来深紫外探测方面的产业应用。  
      关键词：日盲紫外;光电探测器;镁锌氧;氧化镓;非晶   
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      更新时间：2024-12-30
    • “In the field of molecular fluorescence, researchers have synthesized a perylene diimide derivative, PDI-COOH, which exhibits enhanced fluorescence when combined with calcium ions in THF/H2O solution. By studying the assembly and fluorescence behavior under different hydration states, they proposed the fluorescence emission mechanism of PDI-COOH/Ca2+, revealing a novel strategy for aggregated state fluorescence enhancement and highlighting the crucial role of water in molecular fluorescence emission and assembly.”

      顾丹丹, 赵浩儒, 江晓泽, 齐浩含, 廖作桂, 陈珈, 孙宾

      DOI：10.37188/CJL.20240275
      摘要：合成了湾位羧基化的苝酰亚胺衍生物1，7-COOH-PDI-C12（PDI-COOH），并在THF/H2O溶液中与钙离子（Ca2+）结合，观察到独特的荧光增强现象。通过改变不同浓度的水合状态，详细研究PDI-COOH/Ca2+的组装和荧光行为。基于PDI-COOH/Ca2+的组装形态和化学计量比差异，分别提出了PDI-COOH/Ca2+在THF/H2O和THF中的荧光发射机制。这项工作揭示了一种聚集态荧光增强的新策略，并认识到水在分子荧光发射和组装中的重要作用。  
      关键词：羧基官能化;荧光性能;苝酰亚胺;光致电子转移效应;钙离子   
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      更新时间：2024-12-27

    • 张雅馨, 陈邱笛, 卢思亮, 陈言, 张沛雄, 李真, 陈振强

      DOI：10.37188/CJL.20240286
      摘要：本文提出了一种采用978 nm侧泵的基于氧化锑可饱和吸收体掺铒被动调Q激光器。采用垂直微间距升华法（chemical reaction assisted vertical micro sublimation method， CVMS）成功将Sb2O3转移到Al2O3衬底上，并对其进行了形貌、结构等性能表征。采用978 nm侧泵实现了基于Sb2O3-SA掺铒晶体材料的被动调Q，最大单脉冲能量和最大峰值功率分别为6.84 μJ和1.12 W。随着泵浦功率的增加，脉冲宽度从19.64 μs减小到6.09 μs，重复频率从19.10 kHz增大到62.13 kHz。输出激光的中心波长位于2793 nm，且波长在2793 nm处对应的FWHM为9.10 nm。实验结果表明，基于氧化锑可饱和吸收体的铒掺杂晶体材料被动调Q激光器为利用新型可饱和吸收体实现更低成本、稳定性更强且谐振腔设计简单的~3 μm中红外激光器提供了新依据。  
      关键词：Er3+;~3 μm激光;被动调Q;氧化锑可饱和吸收体   
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      更新时间：2024-12-26

    • 郭紫曼, 汪洋, 刘洋, 张腾, 陈剑, 卢寅梅, 何云斌

      DOI：10.37188/CJL.20240292
      摘要：本文针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题，提出采用阴（S2-）阳（Mg2+）离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上进行N受主掺杂的新思路，并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明，制备的MgZnOS：N薄膜为六角纤锌矿结构，呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%，且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%，空穴浓度为2.02×1019 cm-3，霍尔迁移率为0.25 cm2/V∙s，电阻率为1.24 Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS：N薄膜的基础上，设计并制备了新型p-MgZnOS：N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性（开启电压约为1.21 V），且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应，峰值响应度2.26 mA/W（波长为350 nm）。经分析，认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考，对于开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。  
      关键词：脉冲激光沉积;p型掺杂;MgZnOS;p-n结   
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      更新时间：2024-12-26
    • “最新报道，集成光子器件技术取得突破，850 nm VCSEL与超表面集成，成功产生不同阶数涡旋光束，为光学超表面调控VCSEL光场技术提供新思路。”

      牛昊, 王永丽, 姜增璇, 李川川, 魏志鹏, 宋国峰

      DOI：10.37188/CJL.20240300
      摘要：集成光子器件技术的最新进展充分满足了市场对于紧凑型、高效光电系统的需求，同时也有力地促进了光学超表面技术的发展。其中，垂直腔面发射激光器（VCSEL）与超表面的集成，可生成具有特定波前的矢量光束，极大地增强光电系统的功能性和灵活性。本文设计了基于Si3N4纳米天线阵列超表面的850 nm VCSEL，通过对纳米天线结构参数的调控，实现了超过2π的相位覆盖，并采用1阶和2阶涡旋相位板，成功产生了不同阶数的涡旋光束。这一成果对光学超表面调控VCSEL光场技术提供新思路。  
      关键词：超表面;涡旋光束;垂直腔面发射激光器;集成光子器件   
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      更新时间：2024-12-24
    • “在光纤激光器领域，研究人员提出了一种基于可调有源双耦合器环级联复合腔滤波器的2微米波段单纵模铥钬共掺光纤激光器，实现了高信噪比和波长可调谐的激光输出。”

      郭文雅, 孙威威, 吴胜保, 冯亭, 延凤平

      DOI：10.37188/CJL.20240287
      摘要：提出并验证了一种基于可调有源双耦合器环级联复合腔（Active dual-coupler ring based compound-cavity，ADCR-CC）滤波器的2 μm波段单纵模（Single-longitudinal-mode，SLM）铥钬共掺光纤激光器。将具有可调滤波带宽和透射率的ADCR-CC滤波器与光纤布拉格光栅（Fiber Bragg grating，FBG）结合，实现了SLM激光输出。当主腔和复合腔的泵浦功率分别为1.8 W和1.1 W时，测得的激光器输出波长为2048.510 nm，光信噪比高达83.08 dB，90 min内的最大光谱中心波长和光谱峰值功率波动分别为0.006 nm和0.19 dB，激光器输出功率为50.03 mW。使用等强度悬臂梁对FBG引入应变调节，SLM激光可在1.45 nm范围内实现波长的可调谐输出。  
      关键词：有源复合腔滤波器;铥钬共掺光纤;单纵模;光纤激光器   
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      更新时间：2024-12-23
    • “金属卤化物钙钛矿纳米晶在光电子领域取得新进展，通过热注射法制备三维CsPbBr3钙钛矿纳米晶，并实现不同维度间的相变，为复合结构钙钛矿制备提供简便方法。”

      郭衡, 石林林, 沈涛, 张松, 朱益志

      DOI：10.37188/CJL.20240298
      摘要：作为一种具有广阔前景的新型材料，金属卤化物钙钛矿在光电子领域正冉冉升起，成为一颗耀眼的新星。本文采用传统的热注射法制备了三维CsPbBr3钙钛矿纳米晶。通过向三维CsPbBr3钙钛矿纳米晶添加配体或极性溶剂，实现了三维CsPbBr3、零维Cs4PbBr6和二维CsPb2Br5之间的相变，并研究和比较了它们独特的光学性质。在紫外光的激发下，CsPbBr3、CsPbBr3@Cs4PbBr6、CsPbBr3@CsPb2Br5均发出明亮的绿光，具有纳秒量级的荧光寿命。复合结构CsPbBr3@Cs4PbBr6、CsPbBr3@CsPb2Br5的荧光寿命与CsPbBr3寿命几乎一致，表明CsPbBr3@Cs4PbBr6和CsPbBr3@CsPb2Br5复合物的发光均来自CsPbBr3纳米晶。此外，添加配体使得CsPbBr3到Cs4PbBr6的转变，极性溶剂水诱导CsPbBr3到CsPb2Br5的相变也被证实。这项工作不仅为复合结构钙钛矿的制备提供了一种简便的方法，而且在一定程度上提供了铅卤钙钛矿在湿度环境中降解的知识。  
      关键词：钙钛矿;维度;光学特性;相变   
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      更新时间：2024-12-19
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