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Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性
材料合成及性能 | 更新时间：2024-11-28
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    • Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性

      增强出版

    • Enhanced Near-infrared Ⅱ Emission in MgAlxGa2-xO4∶Ni2+ Phosphor via Al/Ga Ions Substitution

    • “在成像和检测领域，MgAlxGa2-xO4∶Ni2+荧光材料覆盖NIR-Ⅱ区，提升发光强度9倍，为近红外光谱技术应用提供新方案。”
    • 发光学报   2024年45卷第11期 页码：1839-1848

    • DOI：10.37188/CJL.20240194    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-11-25，

      收稿日期：2024-08-19，

      修回日期：2024-08-28，

    移动端阅览

  • 杨宜晨, 吕伟, 康晓娇. Al/Ga离子替换提升Ni2+掺杂尖晶石结构MgAlxGa2-xO4近红外二区发光特性[J]. 发光学报, 2024,45(11):1839-1848. DOI： 10.37188/CJL.20240194.

    YANG YICHEN, LYU WEI, KANG XIAOJIAO. Enhanced Near-infrared Ⅱ Emission in MgAlxGa2-xO4∶Ni2+ Phosphor via Al/Ga Ions Substitution. [J]. Chinese journal of luminescence, 2024, 45(11): 1839-1848. DOI： 10.37188/CJL.20240194.

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