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基于VO2相变调控的Ga2O3/VO2异质结器件建模与仿真
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-09-12

    • 基于VO2相变调控的Ga2O3/VO2异质结器件建模与仿真

      增强出版

    • Modeling and Simulation of Ga2O3/VO2 Heterojunction Devices Based on VO2 Phase Transition Regulation

    • 发光学报   2024年45卷第11期 页码：1883-1888

    • DOI：10.37188/CJL.20240211    

      中图分类号： TN304

    • 收稿：2024-09-18，

      修回：2024-09-27，

      纸质出版：2024-11-25

    移动端阅览

  • 冯云松,周长祺,王思雨等.基于VO2相变调控的Ga2O3/VO2异质结器件建模与仿真[J].发光学报,2024,45(11):1883-1888. DOI: 10.37188/CJL.20240211. DOI：

    FENG Yunsong,ZHOU Changqi,WANG Siyu,et al.Modeling and Simulation of Ga2O3/VO2 Heterojunction Devices Based on VO2 Phase Transition Regulation[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(11):1883-1888. DOI: 10.37188/CJL.20240211. DOI：

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