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高功率极低发散角976 nm单模半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间:2026-06-24
    • 高功率极低发散角976 nm单模半导体激光器

      增强出版
    • High-power, Single-mode 976 nm Diode Laser with Ultra-low Divergence Angle

    • 发光学报   2026年47卷第6期 页码:1043-1051
    • DOI:10.37188/CJL.20260053    

      中图分类号: TN248.4
    • CSTR:32170.14.CJL.20260053    
    • 收稿:2026-02-13

      修回:2026-02-28

      纸质出版:2026-06-25

    移动端阅览

  • 庞政,汪丽杰,刘亚楠等.高功率极低发散角976 nm单模半导体激光器[J].发光学报,2026,47(06):1043-1051. DOI: 10.37188/CJL.20260053. CSTR: 32170.14.CJL.20260053.

    PANG Zheng,WANG Lijie,LIU Yanan,et al.High-power, Single-mode 976 nm Diode Laser with Ultra-low Divergence Angle[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(06):1043-1051. DOI: 10.37188/CJL.20260053. CSTR: 32170.14.CJL.20260053.

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相关作者

庞政
汪丽杰
王延靖
陆寰宇
郑显达
薛晓娥
田思聪
孟博

相关机构

中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 特种发光科学与技术全国重点实验室
中国科学院半导体研究所 固态光电信息技术实验室
太原理工大学 新型传感器与智能控制教育部重点实验室
北京工业大学 物理与光电工程学院
宁波大学 高等技术研究院
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