Эрбиевый волоконный усилитель (EDFA) является ключевым устройством в оптических сетях высокой пропускной способности, требующим высокомощного одномодового полупроводникового лазерного накачивания для усиления оптического сигнала. В этой работе разработан высокомощный одномодовый полупроводниковый лазерный чип с длиной волны 976 нм, использующий несимметричную структуру с отражающим волноводом Брэга, обеспечивающую чрезвычайно низкий угол расхождения и близкий к круглому профиль пучка. Максимальная постоянная выходная мощность изготовленного лазера превышает 1,5 Вт (ограничено тепловым насыщением), при токе 1,2 А была получена мощность без искажений 0,83 Вт, при этом углы расхождения по вертикали и в боковой плоскости, содержащие 95% мощности, составляют соответственно 13,70° и 10,95°, длина волны пикового излучения лазера — 976,16 нм, ширина спектра на уровне -3 дБ составляет всего 0,11 нм, подавление боковых мод достигает 40 дБ. Распределение дальнего поля лазера слабо зависит от температуры теплоотвода и рабочего тока, даже при тепловом насыщении угол вертикального расхождения с 95% мощности остается ниже 16°. Этот лазерный чип позволяет эффективно осуществлять одномодовую волоконную накачку, способствуя развитию недорогих мощных одномодовых модулей накачки EDFA.

волновод Брэгга;одномодовый полупроводниковый лазер;высокая мощность;низкий угол расхождения дальнего поля;волоконное сопряжение