Der erbium-dotierte Faserverstärker (EDFA) ist eine Kernkomponente für Hochkapazitäts-Optische Netzwerke, die eine leistungsstarke einkernige Halbleiterlaserpumpe zur optischen Signalverstärkung benötigt. In diesem Artikel wurde ein leistungsstarker 976-nm-einkerniger Halbleiterlaserchip entwickelt, der eine asymmetrische Bragg-Reflexionswellenleiter-Epitaxiestruktur verwendet und einen extrem niedrigen Divergenzwinkel mit annähernd kreisförmigem Strahlaustritt realisiert. Die hergestellten Laser erreichen eine maximale kontinuierliche Ausgangsleistung von über 1,5 W (begrenzt durch thermische Sättigung), bei 1,2 A Strom wurden 0,83 W ungedämpfte Leistung erzielt, wobei die vertikalen und seitlichen Divergenzwinkel, die 95 % der Leistung enthalten, jeweils 13,70° und 10,95° betragen, die Spitzenwellenlänge des Laserausgangs liegt bei 976,16 nm, die -3 dB spektrale Breite beträgt nur 0,11 nm, und das Seitenmodenunterdrückungsverhältnis erreicht 40 dB. Die Fernfeldverteilung des Lasers ist gegenüber Änderungen der Kühlkörpertemperatur und des Betriebsstroms wenig empfindlich; selbst bei thermischer Sättigung liegt der vertikale Divergenzwinkel mit 95 % Leistung unter 16°. Dieser Laserchip ermöglicht eine hocheffiziente einzelmodus-Faser-Kopplung und fördert die Entwicklung von kostengünstigen, leistungsstarken einzelmodus EDFA-Pumpmodulen.

Bragg-Reflexionswellenleiter;Einkern-Halbleiterlaser;hohe Leistung;niedriger Fernfelddivergenzwinkel;Faser-Kopplung