El amplificador de fibra dopado con erbio (EDFA) es un dispositivo clave en las redes ópticas de alta capacidad, que requiere un bombeo láser semiconductor monomodo de alta potencia para amplificar la señal óptica. En este artículo se desarrolló un chip láser semiconductor monomodo de alta potencia a 976 nm, utilizando una estructura epitaxial de guía de onda de reflexión de Bragg asimétrica, que produjo una salida de haz casi circular con un ángulo de divergencia extremadamente bajo. El láser preparado alcanzó una potencia de salida continua máxima superior a 1.5 W (limitada por saturación térmica), obteniendo una potencia sin distorsión de 0.83 W a 1.2 A de corriente, con ángulos de divergencia vertical y lateral que contienen el 95 % de la potencia de 13.70° y 10.95°, respectivamente, longitud de onda máxima de salida de 976.16 nm, ancho espectral a -3 dB de sólo 0.11 nm y una relación de supresión de modo lateral de 40 dB. La distribución del campo lejano del láser es poco sensible a los cambios en la temperatura del disipador térmico y la corriente de operación; incluso bajo condiciones de saturación térmica el ángulo de divergencia vertical que contiene el 95 % de la potencia se mantiene por debajo de 16°. Este chip láser puede lograr un acoplamiento eficiente de fibra monomodo, favoreciendo el desarrollo de módulos láser de bombeo EDFA monomodo de alta potencia y bajo costo.

guía de onda de reflexión de Bragg;láser semiconductor monomodo;alta potencia;bajo ángulo de divergencia en campo lejano;acoplamiento de fibra óptica