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基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间:2026-05-21
    • 基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管

      增强出版
    • High-resolution Quantum Dot Light-emitting Diodes Based on Nanoimprint Lithography and Thermal-regulated Transfer Printing

    • 发光学报   2026年47卷第5期 页码:846-853
    • DOI:10.37188/CJL.20260021    

      中图分类号: TN312.8
    • CSTR:32170.14.CJL.20260021    
    • 收稿:2026-01-21

      修回:2026-02-04

      纸质出版:2026-05-25

    移动端阅览

  • 谢潇婷,林海燕,赵宇森等.基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管[J].发光学报,2026,47(05):846-853. DOI: 10.37188/CJL.20260021. CSTR: 32170.14.CJL.20260021.

    XIE Xiaoting,LIN Haiyan,ZHAO Yusen,et al.High-resolution Quantum Dot Light-emitting Diodes Based on Nanoimprint Lithography and Thermal-regulated Transfer Printing[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(05):846-853. DOI: 10.37188/CJL.20260021. CSTR: 32170.14.CJL.20260021.

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