Quantum-Dot-Leuchtdioden (QLEDs) weisen hohe Farbreinheit, einen breiten Farbraum und Kompatibilität mit lösungsbasierten Verarbeitungstechniken auf und gelten als wichtige Entwicklung für die nächste Generation hochauflösender Display-Technologien. Dennoch stellt die Erzielung hochauflösender Muster ohne Einbußen bei den optischen Eigenschaften der Quantenpunkte (QDs) eine zentrale technische Herausforderung für die praktische Anwendung dar. In dieser Arbeit schlagen wir ein neues Musterungsverfahren vor, das auf Nanoimprint und wärmegesteuertem Transfer basiert und das Musterungsproblem bei der Herstellung hochauflösender QLEDs adressiert. Die Methode verwendet eine Silikonform, um eine wabenförmige Mikrostruktur auf der Oberfläche von Polyvinylbutyral (PVB) zu prägen, steuert selektiv die Benetzbarkeit zur gezielten Befüllung der Quantenpunkte und ermöglicht durch den wärmegesteuerten Transfer das Herstellen hochuniformer Quantenpunkt-Matrizen mit einer Merkmalsgröße bis zu 1,5 µm und einer Auflösung von 9072 Pixel pro Zoll (PPI). Durch den Einsatz höher auflösender Matrizen konnten wir zudem Quantenpunkt-Matrizen mit einer Pixeldichte von bis zu 25400 PPI realisieren. Weiterhin wurden durch die Herstellung von Quantenpunkt-Matrizen auf der Lochtransport-Schicht (HTL) hochauflösende rote QLED-Geräte (9072 PPI) mit einer maximalen externen Quanteneffizienz (EQE) von 10,91% und einer maximalen Helligkeit von 164421 cd/m² erfolgreich gefertigt. Diese Arbeit bietet einen stabilen und reproduzierbaren neuen Musterungsansatz für die Herstellung hochauflösender QLEDs.

Quantum-Dot-Leuchtdioden (QLEDs); hohe Auflösung; Nanoimprint; wärmegesteuerter Transfer