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高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展
特邀综述 | 更新时间：2026-09-11

    • 高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展

      增强出版

    • Advances in High-brightness Edge-emitting Semiconductor Lasers and Their Pulsed Driving

    • 发光学报   2026年47卷第4期 页码：582-601

    • DOI：10.37188/CJL.20250272    

      中图分类号： TN248.4
    • CSTR：32170.14.CJL.20250272    

    • 收稿：2025-12-07，

      修回：2025-12-21，

      纸质出版：2026-04-25

    移动端阅览

  • 高翔,刘祥,薛晓娥等.高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展[J].发光学报,2026,47(04):582-601. DOI： 10.37188/CJL.20250272. CSTR： 32170.14.CJL.20250272.

    GAO Xiang,LIU Xiang,XUE Xiaoe,et al.Advances in High-brightness Edge-emitting Semiconductor Lasers and Their Pulsed Driving[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(04):582-601. DOI： 10.37188/CJL.20250272. CSTR： 32170.14.CJL.20250272.

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相关作者

庞政
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陆寰宇
季云菲
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相关机构

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 特种发光科学与技术全国重点实验室
太原理工大学 新型传感器与智能控制教育部重点实验室
中国科学院半导体研究所 固态光电信息技术实验室
宁波大学 信息科学与工程学院
宁波大学 高等技术研究院
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