Полупроводниковые лазеры с торцевым излучением высокой яркости обладают преимуществами высокой электрооптической эффективности, высоким качеством пучка и высокой пиковой мощностью, и нашли широкое применение в областях обработки материалов, медицины и лазерного радара. Однако достижение одновременно высокой выходной мощности и высокого качества пучка в торцевых лазерах остаётся вызовом, что является центральной задачей исследований полупроводниковых лазеров с высокой яркостью. В статье сначала обобщены достижения последних лет в исследованиях мощных торцевых лазеров с высоким качеством пучка как в Китае, так и за рубежом, рассмотрены методы бокового контроля мод лазера и оптимизации вертикального угла расходимости дальнего поля. Далее представлена импульсная технология управления, способствующая снижению теплового накопления в активной области для получения высокой пиковой мощности и тем самым реализации высокої яркости излучения. Пиковая мощность многозонного туннельного лазера достигает 100 Вт с яркостью до 300 МВт·см^-2·ср^-1, высокояркий вертикальный лазер с широкой активной зоной (HiBBEE) уменьшает вертикальный угол расходимости дальнего поля, улучшая оптическую эффективность системы и снижая стоимость коллимационных и фокусирующих линз. В заключение рассматриваются перспективы создания высокопроизводительных полупроводниковых лазеров с импульсным управлением с учетом текущего состояния и будущих потребностей.

полупроводниковый лазер;высокая мощность;высокое качество пучка;высокая яркость;импульсное управление