Les lasers à semi-conducteurs à émission latérale haute luminosité présentent des avantages tels qu'une haute efficacité de conversion électro-optique, une haute qualité du faisceau et une puissance de crête élevée. Ils sont largement utilisés dans les domaines du traitement des matériaux, de la médecine et du lidar laser. Cependant, la réalisation d'un laser à émission latérale combinant une haute puissance de sortie et une haute qualité de faisceau reste un défi, ce qui constitue le centre de recherche des lasers à semi-conducteurs à émission latérale haute luminosité. Cet article résume d'abord les progrès de la recherche nationale et internationale ces dernières années sur les lasers à émission latérale haute puissance et haute qualité de faisceau, en passant en revue le contrôle des modes latéraux du laser ainsi que les méthodes d'optimisation de l'angle de divergence dans le champ lointain vertical. Ensuite, il présente la technologie de pilotage par impulsion, qui aide à améliorer l'accumulation thermique dans la zone active afin d'obtenir une puissance de crête élevée, réalisant ainsi une sortie haute luminosité. La puissance de crête du laser à jonction tunnel multi-zone active atteint 100 W avec une luminosité de 300 MW·cm^-2·sr^-1. Le laser à émission latérale à zone large verticale haute luminosité (HiBBEE) réduit l'angle de divergence vertical dans le champ lointain, améliorant ainsi l'efficacité d'accouplement du système optique et réduisant le coût des lentilles de collimation et de focalisation. Enfin, combinant les technologies de pilotage et le développement des lasers haute luminosité, cet article envisage l'avenir des lasers à semi-conducteurs haute performance à pilotage par impulsion.

laser à semi-conducteur;haute puissance;haute qualité du faisceau;haute luminosité;pilotage par impulsion