Los láseres semiconductores de emisión lateral de alta luminosidad tienen ventajas como alta eficiencia de conversión electro-óptica, alta calidad de haz y alta potencia pico, y se han utilizado ampliamente en los campos de procesamiento de materiales, medicina y lidar láser. Sin embargo, lograr láseres de emisión lateral con alta potencia de salida y alta calidad de haz sigue siendo un desafío, lo que se ha convertido en el foco de investigación de los láseres semiconductores de alta luminosidad. Este artículo primero resume los avances recientes en la investigación de láseres de emisión lateral de alta potencia y alta calidad de haz tanto nacionales como internacionales, revisando el control del modo lateral del láser y los métodos de optimización del ángulo de divergencia del campo lejano vertical. Luego presenta la tecnología de conducción por pulsos, que ayuda a mejorar la acumulación térmica en la zona activa para obtener alta potencia pico, logrando una salida de alta luminosidad. La potencia pico del láser de unión túnel de múltiples zonas activas alcanza 100 W con una luminosidad de 300 MW·cm^-2·sr^-1, y el láser de área ancha vertical de alta luminosidad de emisión lateral (HiBBEE) puede reducir el ángulo de divergencia del campo lejano vertical, mejorando aún más la eficiencia de acoplamiento del sistema óptico y reduciendo el costo de las lentes de colimación y enfoque. Finalmente, combinando la tecnología de conducción y el desarrollo actual y futuro de los láseres de alta luminosidad, se presenta una perspectiva para lograr láseres semiconductores de alta luminosidad y alto rendimiento controlados por pulsos.

láser semiconductor;alta potencia;alta calidad de haz;alta luminosidad;conducción por pulsos