量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响

陈贵楚; 贺龙飞; 彭坤

doi:10.37188/CJL.20250235

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响

器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-09-11

- 量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响
  增强出版
- Impact of Well Thickness on Static and Dynamic Behavior of InGaN Light-emitting Diode with Single Quantum Well
- 发光学报 2026年47卷第2期页码：314-320
- 作者机构：
  
  1.肇庆学院电子信息系，广东肇庆 526061
  2.广东省科学院半导体研究所，广东广州 510650
  3.复旦大学微电子学院，上海 200433
- 作者简介：
  
  陈贵楚（1973-），男，湖南岳阳人，博士，副教授，2009年于华南师范大学获得博士学位，主要从事光电子器件模拟研究。E-mail： gchenbox@163.com
- 基金信息：
  
  Surpported by Guangdong Basic and Applied Basic Research Foundation(2025A1515011593)
- DOI：10.37188/CJL.20250235
  中图分类号： TN312.8
- CSTR：32170.14.CJL.20250235
- 收稿：2025-11-05，
  
  修回：2025-11-24，
  
  纸质出版：2026-02-25
- 稿件说明：
移动端阅览
陈贵楚,贺龙飞,彭坤.量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响[J].发光学报,2026,47(02):314-320.

CHEN Guichu,HE Longfei,PENG Kun.Impact of Well Thickness on Static and Dynamic Behavior of InGaN Light-emitting Diode with Single Quantum Well[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(02):314-320.
陈贵楚,贺龙飞,彭坤.量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响[J].发光学报,2026,47(02):314-320. DOI： 10.37188/CJL.20250235. CSTR： 32170.14.CJL.20250235.

CHEN Guichu,HE Longfei,PENG Kun.Impact of Well Thickness on Static and Dynamic Behavior of InGaN Light-emitting Diode with Single Quantum Well[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(02):314-320. DOI： 10.37188/CJL.20250235. CSTR： 32170.14.CJL.20250235.

浏览量

603

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于微流控可控制备交联型ZnS高折射率材料及其在QLED光提取中的应用

Tb3+→Sm3+能量传递调控的多色应力发光材料及其动态防伪应用

具有级联纳米酶活性的三模态协同纳米复合材料：面向潜在的近红外响应切换成像与治疗

手性BODIPY圆偏振发光材料：分子设计及其应用

氨基酸基荧光碳点制备及其四环素检测应用

量子阱厚度对InGaN单量子阱发光二极管静态和动态特性的影响

Impact of Well Thickness on Static and Dynamic Behavior of InGaN Light-emitting Diode with Single Quantum Well

DOI：10.37188/CJL.20250235