Un modèle de circuit pour une diode électroluminescente à puits quantique unique InGaN/GaN a été proposé sur la base des équations de taux standards. Ce modèle décrit les processus de transport des porteurs de charge à travers l'hétérojonction isolante et le puits quantique à l'aide de deux équations de taux, tandis qu'une troisième équation décrit les caractéristiques dynamiques des photons dans le puits quantique. Grâce au modèle établi, nous avons étudié systématiquement l'influence de l'épaisseur du puits quantique sur les caractéristiques statiques et dynamiques du dispositif. Les résultats de simulation montrent que la LED avec un puits quantique de 4 nm présente de meilleures caractéristiques puissance optique-courant, tandis que la LED avec un puits quantique de 3 nm possède une bande passante de modulation à 3 dB plus large, révélant que la densité élevée de porteurs dans le puits quantique n'est pas favorable aux performances statiques mais améliore efficacement les performances dynamiques.

puits quantique unique;équations de taux;modèle de circuit;caractéristiques puissance optique-courant;bande passante de modulation