Un modèle de circuit pour une diode électroluminescente InGaN/GaN à puits quantique unique est proposé sur la base des équations de taux standard, où deux équations de taux décrivent respectivement le transport des porteurs dans l'hétérojonction isolante et le puits quantique, tandis qu'une troisième équation de taux décrit les caractéristiques dynamiques des photons dans le puits quantique. En utilisant le modèle établi, nous avons étudié systématiquement l'effet de l'épaisseur du puits quantique sur les caractéristiques statiques et dynamiques du dispositif. Les résultats de la simulation montrent que la LED avec une largeur de puits quantique de 4 nm présente de meilleures caractéristiques puissance optique-courant, tandis que la LED avec une largeur de puits quantique de 3 nm possède une bande passante de modulation à 3 dB plus large, révélant ainsi que la forte densité de porteurs dans le puits quantique nuit aux performances statiques mais améliore efficacement les performances dynamiques.

puits quantique unique;équations de taux;modèle de circuit;caractéristiques puissance optique-courant;bande passante de modulation