Ein Schaltungsmodell für InGaN/GaN-Einkristall-Quantenmulden-Leuchtdioden wurde auf Basis der Standard-Ratengleichungen vorgeschlagen. Dieses Modell beschreibt mittels zweier Ratengleichungen den Ladungsträgertransport in der isolierenden Grenzflächen-Heterostruktur und der Quantenmulde, während eine dritte Ratengleichung die dynamischen Eigenschaften der Photonen in der Quantenmulde beschreibt. Mit dem erstellten Modell haben wir systematisch den Einfluss der Quantenmulden-Dicke auf die statischen und dynamischen Eigenschaften des Bauelements untersucht. Die Simulationsergebnisse zeigen, dass LED mit einer Quantenmulden-Breite von 4 nm bessere Lichtleistung-Strom-Eigenschaften aufweist, während LED mit einer Quantenmulden-Breite von 3 nm eine breitere 3 dB Modulationsbandbreite besitzt. Dies zeigt gleichzeitig, dass eine hohe Ladungsträgerdichte in der Quantenmulde zwar für statische Eigenschaften ungünstig ist, jedoch die dynamischen Eigenschaften effektiv verbessert.

Einkristall-Quantenmulde;Ratengleichungen;Schaltungsmodell;Lichtleistung-Strom-Eigenschaften;Modulationsbandbreite