Ein Schaltkreis-Modell für InGaN/GaN Einzelquantentopf-Leuchtdioden wird basierend auf den Standard-Raten-Gleichungen vorgeschlagen, wobei zwei Raten-Gleichungen jeweils den Trägertransport an der isolierenden Hetero-Grenzschicht und im Quantentopf beschreiben, während die dritte Raten-Gleichung die dynamischen Eigenschaften der Photonen im Quantentopf beschreibt. Mit dem aufgebauten Modell untersuchten wir systematisch den Einfluss der Quantentopfstärke auf die statischen und dynamischen Eigenschaften des Bauelements. Die Simulationsergebnisse zeigen, dass LED mit einer Quantentopfstärke von 4 nm bessere Lichtleistung-Strom-Eigenschaften aufweist, während LEDs mit einer Quantentopfstärke von 3 nm eine breitere 3-dB-Modulationsbandbreite besitzen, was gleichzeitig zeigt, dass eine hohe Trägerdichte im Quantentopf zwar die statischen Eigenschaften beeinträchtigt, jedoch die dynamischen Eigenschaften effektiv verbessert.

Einzelquantentopf;Raten-Gleichungen;Schaltkreis-Modell;Lichtleistung-Strom-Eigenschaften;Modulationsbandbreite