Предложена схема электрической модели светоизлучающего диода InGaN/GaN с одной квантовой ямой на основе стандартных уравнений скоростей, где двумя уравнениями скоростей описывается перенос носителей заряда в изолированном гетеро-переходе и квантовой яме соответственно, а третье уравнение описывает динамические характеристики фотонов в квантовой яме. С помощью построенной модели мы систематически изучили влияние толщины квантовой ямы на статические и динамические характеристики устройства. Результаты моделирования показывают, что светодиод с шириной квантовой ямы 4 нм демонстрирует лучшие характеристика световой мощности от тока, тогда как светодиод с шириной квантовой ямы 3 нм обладает более широкой полосой модуляции 3 дБ, что одновременно указывает на то, что высокая плотность носителей в квантовой яме отрицательно влияет на статическую производительность, но эффективно улучшает динамические характеристики.

одна квантовая яма;уравнения скоростей;электрическая модель;характеристики световой мощности-тока;полоса модуляции