На основе стандартных уравнений скорости была предложена электрическая модель светодиода с одиночной квантовой ямой InGaN/GaN. Эта модель описывает процесс переноса носителей заряда в изолирующем барьерном гетероструктуре и квантовой яме двумя уравнениями скорости, а третье уравнение описывает динамические характеристики фотонов в квантовой яме. С помощью построенной модели мы систематически исследовали влияние толщины квантовой ямы на статические и динамические характеристики устройства. Результаты моделирования показали, что светодиод с шириной квантовой ямы 4 нм демонстрирует лучшие оптические характеристики мощность-ток, в то время как светодиод с шириной квантовой ямы 3 нм имеет более широкую 3 дБ полосу модуляции, что одновременно указывает на то, что высокая плотность носителей в квантовой яме неблагоприятна для статических характеристик, но эффективно улучшает динамические характеристики.

одиночная квантовая яма;уравнения скорости;электрическая модель;оптическая мощность-ток;полоса модуляции