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具有超晶格电子减速层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-03-05

    • 具有超晶格电子减速层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究

      增强出版

    • Simulation Study of N-polar InGaN-based Red LEDs with Superlattice Electron Deceleration Layer

    • “相关研究在氮化物RGB全彩Micro-LED显示领域取得新进展，研究人员提出了一种新型氮极性InGaN基红光LED器件结构，该结构通过采用n-In0.1Ga0.9N/GaN超晶格电子减速层（EDL）替代传统p-AlGaN电子阻挡层（EBL），有效提升了载流子限制能力和晶体质量，使器件的峰值内量子效率和光输出功率分别提高了16%和32%，为提高InGaN基红光LED发光效率提供了新思路。”
    • 发光学报   2026年47卷第2期 页码：307-313

    • DOI：10.37188/CJL.20250229    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20250229    

    • 收稿：2025-10-30，

      修回：2025-11-19，

      纸质出版：2026-02-25

    移动端阅览

  • 王宗昊,王昱森,左长财等.具有超晶格电子减速层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究[J].发光学报,2026,47(02):307-313. DOI： 10.37188/CJL.20250229. CSTR： 32170.14.CJL.20250229.

    WANG Zonghao,WANG Yusen,ZUO Changcai,et al.Simulation Study of N-polar InGaN-based Red LEDs with Superlattice Electron Deceleration Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(02):307-313. DOI： 10.37188/CJL.20250229. CSTR： 32170.14.CJL.20250229.

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