Actualmente, la baja eficiencia luminosa del LED rojo basado en InGaN limita el desarrollo y la aplicación de la tecnología de visualización Micro-LED RGB a todo color basada en nitruro. Mejorar la capacidad de restricción de portadores y la calidad cristalina de la zona activa de pozos cuánticos del LED rojo InGaN es una vía importante para aumentar su eficiencia luminosa. Este trabajo propone una estructura de dispositivo LED rojo InGaN de polaridad nitrógeno con capa de desaceleración electrónica en superred n-In_0.1Ga_0.9N/GaN (EDL) sin capa de barrera electrónica p-AlGaN (EBL). Los resultados de la simulación numérica muestran que la superred EDL reduce significativamente la velocidad térmica de los electrones y mejora la eficiencia de captura de electrones en el pozo cuántico. Además, esta estructura reduce la barrera de inyección de huecos y mejora la eficiencia de captura de huecos en el pozo cuántico, manteniendo al mismo tiempo una alta barrera electrónica que puede inhibir eficazmente la fuga de electrones del pozo cuántico. En comparación con el dispositivo de referencia de LED rojo InGaN de polaridad nitrógeno con p-AlGaN EBL, la eficiencia cuántica interna máxima y la potencia de salida óptica del dispositivo aumentaron un 16% y un 32%, respectivamente. Es importante destacar que la estructura del LED rojo propuesta sin p-AlGaN EBL evita el deterioro de la calidad cristalina del pozo cuántico causado por la alta temperatura de crecimiento del p-AlGaN EBL, lo que ayuda a impulsar la fabricación de Micro-LED rojo InGaN de alta eficiencia luminosa.

InGaN;LED rojo;polaridad nitrógeno;capa de desaceleración electrónica