Actuellement, la faible efficacité lumineuse des LED rouges à base d’InGaN limite le développement et l’application de la technologie d’affichage Micro-LED RVB pleine couleur à base de nitrure. L’amélioration de la capacité de confinement des porteurs et de la qualité cristalline de la zone active des puits quantiques des LED rouges InGaN est une voie importante pour augmenter leur efficacité lumineuse. Ce travail propose une structure de dispositif LED rouge InGaN à polarité azote avec une couche super-réseau de décélération électronique n-In_0.1Ga_0.9N/GaN (EDL) sans couche de barrière électronique p-AlGaN (EBL). Les résultats de simulation numérique montrent que la couche super-réseau EDL réduit considérablement la vitesse thermique des électrons et améliore l’efficacité de capture électronique dans le puits quantique. De plus, cette structure diminue la barrière d’injection des trous tout en améliorant l’efficacité de capture des trous dans le puits quantique, tout en maintenant une barrière électronique élevée pour inhiber efficacement le débordement des électrons. Comparé au dispositif LED InGaN à polarité azote avec EBL p-AlGaN de référence, l’efficacité quantique interne maximale et la puissance lumineuse de sortie du dispositif ont été améliorées respectivement de 16 % et 32 %. Il est important de noter que l’absence de couche EBL p-AlGaN dans la structure LED rouge proposée évite la dégradation de la qualité cristalline du puits quantique causée par la haute température de croissance de l’EBL p-AlGaN, ce qui favorise la fabrication de Micro-LED InGaN rouge à haute efficacité lumineuse.

InGaN;LED rouge;polarité azote;couche de décélération électronique