В настоящее время низкая светоотдача красных светодиодов на основе InGaN ограничивает развитие и применение технологии полноцветных RGB Micro-LED на нитридной основе. Повышение способности ограничения носителей заряда в активной области квантовой ямы и качества кристаллов красного светодиода на основе InGaN является важным способом улучшения его светоотдачи. В данной работе предложена структура нитридного InGaN-красного светодиода с электронным замедляющим слоем (EDL) с сверхрешеткой n-In_0.1Ga_0.9N/GaN, но без электронного барьера p-AlGaN (EBL). Результаты численного моделирования показывают, что сверхрешетчатый EDL значительно снижает тепловую скорость электронов и повышает эффективность захвата электронов в квантовой яме. Кроме того, эта структура устройства снижает барьер инжекции дырок, улучшая эффективность захвата дырок квантовой ямы, при этом сохраняя высокий барьер для электронов, что эффективно подавляет вытекание электронов из квантовой ямы. По сравнению с эталонным нитридным красным светодиодом InGaN с p-AlGaN EBL, максимальная внутренняя квантовая эффективность и оптическая выходная мощность этого устройства увеличились на 16% и 32% соответственно. Важно, что предложенная структура красного светодиода без p-AlGaN EBL позволяет избежать ухудшения качества кристалла квантовой ямы из-за высокой температуры роста p-AlGaN EBL, что способствует продвижению изготовления высокоэффективных InGaN Micro-LED.

InGaN;красный светодиод;нитридная полярность;электронный замедляющий слой