В настоящее время низкая световая эффективность красных светодиодов на основе InGaN ограничивает развитие и применение технологии полноцветных RGB Micro-LED на нитридной основе. Повышение способности ограничения носителей заряда и качества кристаллов активной области квантовой ямы красного InGaN LED является важным путём для увеличения его световой эффективности. В данной работе предложена структура нитридного InGaN красного светодиода с n-In_0.1Ga_0.9N/GaN суперрешётчатым слоем замедления электронов (EDL) без p-AlGaN электронного барьера (EBL). Результаты численного моделирования показывают, что суперрешёточный EDL значительно снижает тепловую скорость электронов и повышает эффективность захвата электронов в квантовой яме. Кроме того, структура устройства при снижении энергетического барьера для дырок и повышении эффективности захвата дырок в квантовой яме сохраняет высокий электронный барьер, эффективно подавляя вытекание электронов из квантовой ямы. По сравнению с образцом нитридного InGaN красного светодиода с p-AlGaN EBL, пиковая внутренняя квантовая эффективность и световой выход устройства увеличились на 16% и 32% соответственно. Важно, что предложенная структура красного светодиода без p-AlGaN EBL избегает ухудшения качества кристаллов квантовой ямы, вызванного высокой температурой роста p-AlGaN EBL, что способствует производству высокоэффективных InGaN Micro-LED красного цвета.

InGaN;красный светодиод;нитридная полярность;слой замедления электронов