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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
更新时间:2025-03-25
    • 基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究

      增强出版
    • Performance Optimization of Solution-Processed QLEDs with CuSCN Hole Injection Layer

    • 最新研究突破了量子点发光二极管性能限制,采用CuSCN和Poly-TPD显著提升发光亮度和电流效率。
    • 发光学报   2025年 页码:1-9
    • DOI:10.37188/CJL.20250039    

      中图分类号:
    • CSTR:32170.14.CJL.20250039    
    • 网络出版日期:2025-03-25

    移动端阅览

  • 廖明月,何敏,陈平等.基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20250039 CSTR: 32170.14.CJL.20250039.

    LIAO Mingyue,He Min,CHEN Ping,et al.Performance Optimization of Solution-Processed QLEDs with CuSCN Hole Injection Layer[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20250039 CSTR: 32170.14.CJL.20250039.

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