Quantum-Dot-Leuchtdioden (QLEDs) sind aufgrund ihrer hervorragenden optischen Eigenschaften und lösungsprozessierbaren Merkmale vielversprechende Kandidaten für die nächste Generation von Display- und Beleuchtungstechnologien. Traditionelle Lochinjektionsmaterialien (wie PEDOT∶PSS) weisen jedoch viele Probleme auf, die ihre Leistungssteigerung einschränken. In dieser Arbeit wurde Kupferthiocyanat (Copper thiocyanate, kurz CuSCN) als Lochinjektionsschicht verwendet, grüne CdSe/ZnS-Quantenpunkte als Leuchtschicht, kombiniert mit verschiedenen Lochtransportschichten (HTL) wie PVK und Poly-TPD. Grüne QLED-Geräte wurden mittels Lösungsmittelverfahren hergestellt und die optoelektronischen Eigenschaften der Geräte unter Wechselstrom- und Gleichstrombetrieb vergleichend analysiert. Es wurde festgestellt, dass die Energiesperre zwischen CuSCN und PVK zu Ladungsbindung an der Schnittstelle führt, was die Geräteleistung reduziert; durch die Einführung von Poly-TPD, mit seiner höheren Lochmobilität und flacherem HOMO-Niveau, wird die Ladungsbindung an der Schnittstelle effektiv verringert, was die Leuchthelligkeit und den Stromwirkungsgrad der Geräte deutlich verbessert. Die maximale Leuchtdichte und der maximale Stromwirkungsgrad betrugen 132.075 cd/m² bzw. 15,6 cd/A. Diese Studie legt den Wirkmechanismus der Ladungsbindung an der CuSCN/HTL-Schnittstelle auf die QLED-Leistung dar und bietet theoretische Unterstützung sowie praktische Anleitung für den Einsatz von anorganischem CuSCN in hocheffizienten lösungsverarbeiteten QLEDs.

Kupferthiocyanat; Quantenpunkt-Leuchtdioden; Lochinjektionsschicht; gebundene Ladungen; Wechselstrombetrieb