Debido a su excelente rendimiento óptico y características de procesamiento en solución, los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) se han convertido en candidatos poderosos para las tecnologías de visualización e iluminación de próxima generación. Sin embargo, los materiales tradicionales de inyección de huecos (como PEDOT∶PSS) presentan varios problemas que limitan la mejora del rendimiento. Este artículo utiliza tiocianato de cobre (CuSCN) como capa de inyección de huecos, puntos cuánticos verdes CdSe/ZnS como capa emisora, combinados con diferentes capas de transporte de huecos (HTL), como PVK y Poly-TPD. Los dispositivos QLED verdes se fabricaron mediante proceso de solución y se analizaron comparativamente las características optoelectrónicas bajo conducción de corriente alterna y continua. El estudio encontró que la barrera de energía entre CuSCN y PVK provoca la retención de cargas en la interfaz, disminuyendo el rendimiento del dispositivo; mientras que la introducción de poly-TPD, debido a su mayor movilidad de huecos y nivel HOMO más superficial, reduce efectivamente la retención de cargas en la interfaz, mejorando significativamente el brillo de emisión y la eficiencia de corriente, con un brillo máximo de emisión y máxima eficiencia de corriente de 132075 cd/m² y 15.6 cd/A respectivamente. Este estudio revela el mecanismo del efecto de la retención de cargas en la interfaz CuSCN/HTL sobre el rendimiento de QLED, proporcionando soporte teórico y orientación práctica para la aplicación del CuSCN inorgánico en QLED de procesamiento solución eficientes.

tiocianato de cobre;diodo emisor de luz de puntos cuánticos;capa de inyección de huecos;cargas atrapadas;conducción de corriente alterna