Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED) se han convertido en fuertes candidatos para las tecnologías de visualización e iluminación de próxima generación debido a su excelente rendimiento óptico y características de procesamiento en solución. Sin embargo, los materiales tradicionales de inyección de huecos (como PEDOT∶PSS) presentan varios problemas que limitan la mejora del rendimiento. En este trabajo, se utilizó tiocianato de cobre (CuSCN) como capa de inyección de huecos y puntos cuánticos verdes CdSe/ZnS como capa emisora, combinados con diferentes capas de transporte de huecos (HTL), como PVK y Poly-TPD. Se fabricaron dispositivos QLED verdes mediante un proceso de procesamiento en solución y se analizó comparativamente el rendimiento optoelectrónico de los dispositivos bajo conducción de corriente alterna y continua. El estudio encontró que la barrera de energía entre CuSCN y PVK provoca la captura de carga en la interfaz, lo que reduce el rendimiento del dispositivo; sin embargo, al introducir poly-TPD, debido a su mayor movilidad de huecos y nivel HOMO más superficial, se reduce efectivamente la captura de carga en la interfaz, lo que mejora significativamente el brillo y la eficiencia de corriente del dispositivo. El brillo máximo y la eficiencia máxima de corriente fueron de 132 075 cd/m² y 15,6 cd/A, respectivamente. Este estudio revela el mecanismo del efecto de la captura de carga en la interfaz CuSCN/HTL sobre el rendimiento del QLED, proporcionando soporte teórico y guía práctica para la aplicación del CuSCN inorgánico en QLED de procesamiento en solución de alta eficiencia.

tiocianato de cobre; diodos emisores de luz de puntos cuánticos; capa de inyección de huecos; cargas atrapadas; conducción de corriente alterna