نظرًا لأدائه البصري الممتاز وخصائص المعالجة بالمحلول ، فإن شاشات الكم النقطي المضيئة (QLED) تعتبر مرشحًا قويًا لتكنولوجيا العرض والإضاءة في الجيل القادم. ومع ذلك ، تواجه المواد التقليدية للتدفق المكاني (مثل PEDOT: PSS) العديد من المشاكل التي تقيد تحسين أدائها. في هذه الدراسة ، تم استخدام كبريتيد النحاس (Copper Thiocyanate ، المختصر بـ CuSCN) كطبقة تدفق للحفر ، وتم استخدام نقاط الكم CdSe/ZnS الخضراء كطبقة إضاءة ، وتم تحضير أجهزة QLED الخضراء باستخدام طريقة معالجة المحلول باستخدام طبقات نقل الحفر المختلفة (HTL) مثل PVK و Poly-TPD ، وتم تحليل ومقارنة أداء الأجهزة الضوئية تحت الدفع المتردد والدفع المستمر. وجدت الدراسة أن الحاجز المستوي بين CuSCN و PVK يؤدي إلى ربط الشحنات على الحاجز ، مما يقلل من أداء الجهاز ؛ ولكن مع مقدمة Poly-TPD ، نظرًا للنقل الأعلى للحفر الأعلى وللمستوى الأقل لطاقة HOMO ، تقلل بشكل فعال من ربط الشحنات على الحاجز ، مما يؤدي إلى زيادة كبيرة في سطوع الإضاءة وكفاءة التيار للجهاز ، وهي 132075 كانديلا / م2 و 15.6 كانديلا / أ. تكشف هذه الدراسة عن آلية تأثير ربط الشحنات على حاجز CuSCN/HTL على أداء QLED ، وتوفر دعما نظريًا وإرشادات عملية لتطبيق CuSCN اللاعضوي في QLED عالي الكفاءة بمعالجة المحلول.

كبريتيد النحاس ؛ شاشة الكم المضيئة ؛ طبقة حقن الحفر ؛ شحن مقيد ؛ دفع متردد