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基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究
研究快报 | 更新时间：2025-07-18

    • 基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究

      增强出版

    • Performance Optimization of Solution-processed QLEDs with CuSCN Hole Injection Layer

    • “最新研究突破了量子点发光二极管性能限制，采用CuSCN和Poly-TPD显著提升发光亮度和电流效率，为高效QLED应用提供理论支持和实践指导。”
    • 发光学报   2025年46卷第7期 页码：1262-1270

    • DOI：10.37188/CJL.20250039    

      中图分类号： TN312.8
    • CSTR：32170.14.CJL.20250039    

    • 收稿日期：2025-02-25，

      修回日期：2025-03-17，

      纸质出版日期：2025-07-25

    移动端阅览

  • 廖明月,何敏,陈平等.基于硫氰酸亚铜空穴注入层的量子点发光二极管的性能优化研究[J].发光学报,2025,46(07):1262-1270. DOI： 10.37188/CJL.20250039. CSTR： 32170.14.CJL.20250039.

    LIAO Mingyue,HE Min,CHEN Ping,et al.Performance Optimization of Solution-processed QLEDs with CuSCN Hole Injection Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(07):1262-1270. DOI： 10.37188/CJL.20250039. CSTR： 32170.14.CJL.20250039.

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