Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的位错与湿法刻蚀

李国鑫; 王佩; 穆文祥; 赵莉莉; 王善朋; 尹延如

doi:10.37188/CJL.20250024

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Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀

材料合成及性能 | 更新时间：2026-09-12

- Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀
  增强出版
- Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃
- 发光学报 2025年46卷第6期页码：1095-1108
- 作者机构：
  
  1.山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100
  2.济南大学化学与化学工程学院，山东济南 250022
  3.山东大学信息科学与工程学院，山东济南 250100
- 作者简介：
  
  李国鑫（1999-），男，山东淄博人，硕士研究生，2022年于济南大学获得学士学位，主要从事倍半氧化物晶体缺陷的研究。E-mail： 202232812@mail.sdu.edu.cn
  尹延如（1988-），女，山东济南人，博士，长聘副研究员，博士生导师，2017年于山东大学晶体材料研究所获得博士学位，主要从事晶体生长及激光性能方面的研究。E-mail： yyr@sdu.edu.cn
- 基金信息：
  
  National Key Research and Development Program of China(2021YFB3601403);National Natural Science Foundation of China(62105181);Taishan Scholar of Shandong Province(tsqn202306014)
- DOI：10.37188/CJL.20250024
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170.14.CJL.20250024
- 收稿：2025-02-02，
  
  修回：2025-02-22，
  
  纸质出版：2025-06-25
- 稿件说明：
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李国鑫,王佩,穆文祥等.Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀[J].发光学报,2025,46(06):1095-1108. DOI: 10.37188/CJL.20250024. CSTR: 32170.14.CJL.20250024.

LI Guoxin,WANG Pei,MU Wenxiang,et al.Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(06):1095-1108. DOI: 10.37188/CJL.20250024. CSTR: 32170.14.CJL.20250024.
李国鑫,王佩,穆文祥等.Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀[J].发光学报,2025,46(06):1095-1108. DOI: 10.37188/CJL.20250024. CSTR: 32170.14.CJL.20250024. DOI：

LI Guoxin,WANG Pei,MU Wenxiang,et al.Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(06):1095-1108. DOI: 10.37188/CJL.20250024. CSTR: 32170.14.CJL.20250024. DOI：

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