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宽禁带半导体X射线探测器研究进展
更新时间：2025-02-20
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    • 宽禁带半导体X射线探测器研究进展

      增强出版

    • Recent development of X-ray detectors based on wide-bandgap semiconductor

    • “在X射线探测领域，宽禁带半导体材料如碳化硅、氮化镓等展现出优异性能，为医学成像、工业检测等提供新方向。”
    • 发光学报   2025年 页码：1-19

    • DOI：10.37188/CJL.20240312    

      中图分类号：
    • CSTR：32170.14.CJL.20240312    

    • 网络出版日期：2025-02-20，

    移动端阅览

  • 吴璇,高润龙,刘志宇等.宽禁带半导体X射线探测器研究进展[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240312 CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

    WU Xuan,GAO Runlong,LIU Zhiyu,et al.Recent development of X-ray detectors based on wide-bandgap semiconductor[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240312 CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

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苏州科技大学　材料科学与工程学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
郑州大学 物理工程学院, 河南 郑州 450052
佛山科学技术学院 物理与光电工程学院
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