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宽禁带半导体X射线探测器研究进展
特邀报告 | 更新时间：2025-05-27

    • 宽禁带半导体X射线探测器研究进展

      增强出版

    • Development of X-ray Detectors Based on Wide-bandgap Semiconductor

    • “在X射线探测领域，宽禁带半导体材料如碳化硅、氮化镓等展现出优异性能，符合高性能探测器特点要求，为医学成像、工业检测和太空探索等未来研究方向和潜在应用提供了参考。”
    • 发光学报   2025年46卷第5期 页码：794-812

    • DOI：10.37188/CJL.20240312    

      中图分类号： TL816.1
    • CSTR：32170.14.CJL.20240312    

    • 收稿日期：2024-11-29，

      修回日期：2024-12-18，

      纸质出版日期：2025-05-25

    移动端阅览

  • 吴璇,高润龙,刘志宇等.宽禁带半导体X射线探测器研究进展[J].发光学报,2025,46(05):794-812. DOI： 10.37188/CJL.20240312. CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

    WU Xuan,GAO Runlong,LIU Zhiyu,et al.Development of X-ray Detectors Based on Wide-bandgap Semiconductor[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(05):794-812. DOI： 10.37188/CJL.20240312. CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

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相关机构

苏州科技大学　材料科学与工程学院
浙江大学化学系　浙江省激发态材料重点实验室
郑州大学 物理工程学院, 河南 郑州 450052
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
佛山科学技术学院 材料科学与能源工程学院
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