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宽禁带半导体X射线探测器研究进展
特邀报告 | 更新时间：2026-04-14

    • 宽禁带半导体X射线探测器研究进展

      增强出版

    • Development of X-ray Detectors Based on Wide-bandgap Semiconductor

    • 发光学报   2025年46卷第5期 页码：794-812

    • DOI：10.37188/CJL.20240312    

      中图分类号： TL816.1
    • CSTR：32170.14.CJL.20240312    

    • 收稿：2024-11-29，

      修回：2024-12-18，

      纸质出版：2025-05-25

    移动端阅览

  • 吴璇,高润龙,刘志宇等.宽禁带半导体X射线探测器研究进展[J].发光学报,2025,46(05):794-812. DOI： 10.37188/CJL.20240312. CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

    WU Xuan,GAO Runlong,LIU Zhiyu,et al.Development of X-ray Detectors Based on Wide-bandgap Semiconductor[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(05):794-812. DOI： 10.37188/CJL.20240312. CSTR： 32170.14.CJL.20240312.

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浙江大学化学系　浙江省激发态材料重点实验室
郑州大学 物理工程学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
佛山科学技术学院 材料科学与能源工程学院
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