Hochleistungs-Halbleiter-Röntgendetektoren sollten Merkmale wie niedrige Nachweisgrenze, niedrigen Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, schnelle Reaktion und hohe Strahlungsbeständigkeit aufweisen. Breitband-Halbleiter wie Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Diamant, Galliumoxid und Zinkoxid zeigen aufgrund ihrer Eigenschaften – breite Bandlücke, hohe Elektronenmobilität, hohe Durchschlagfestigkeit, hohe gesättigte Ladungsträgerdriftgeschwindigkeit und hohe Dislokationsenergie – hervorragende Leistungen bei der Röntgendetektion. Sie erfüllen die Anforderungen an Hochleistungs-Halbleiter-Röntgendetektoren und werden zu vielversprechenden Röntgendetektoren. Dieser Artikel stellt die Eigenschaften der Breitband-Halbleitermaterialien Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Diamant, Galliumoxid und Zinkoxid, deren Herstellungstechnologien und die neuesten Fortschritte in der Forschung zu Röntgendetektoren vor und bietet eine Referenz für zukünftige Forschungsrichtungen und potenzielle Anwendungen in der medizinischen Bildgebung, industriellen Prüfung und Weltraumforschung.

Breitband;Halbleiter;Röntgendetektor;Siliziumkarbid;Galliumnitrid;Diamant