摘要
Hochleistungs-Halbleiter-Röntgendetektoren sollten eine niedrige Nachweisgrenze, niedrigen Dunkelstrom, hohe Empfindlichkeit, schnelle Reaktion und hohe Strahlenbeständigkeit aufweisen. Breitband-Halbleiter wie Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Diamant, Galliumoxid und Zinkoxid zeigen aufgrund ihrer Eigenschaften wie breite Bandlücke, hohe Elektronenmobilität, hohe Durchschlagfestigkeit, hohe gesättigte Ladungsträgerdriftgeschwindigkeit und hohe Verdrängungsenergie hervorragende Leistungen bei der Röntgendetektion und erfüllen die Anforderungen an Hochleistungs-Halbleiter-Röntgendetektoren, wodurch sie vielversprechende Röntgendetektoren darstellen. Dieser Artikel stellt die Eigenschaften der Breitband-Halbleitermaterialien Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Diamant, Galliumoxid und Zinkoxid, die Herstellungstechnologien und die neuesten Forschungen zu Röntgendetektoren vor und bietet eine Referenz für zukünftige Forschungsrichtungen und potenzielle Anwendungen in der medizinischen Bildgebung, industriellen Inspektion und Weltraumforschung.
关键词
breitband;halbleiter;röntgendetektor;siliziumkarbid;galliumnitrid;diamant