Los detectores de rayos X de semiconductores de alto rendimiento deben poseer características como bajo límite de detección, baja corriente oscura, alta sensibilidad, respuesta rápida y fuerte resistencia a la radiación. Semiconductores de banda ancha como el carburo de silicio, nitruro de galio, diamante, óxido de galio y óxido de zinc, debido a sus características de ancho de banda amplio, alta movilidad electrónica, alta resistencia a la ruptura, alta velocidad de deriva saturada de portadores y alta energía de desplazamiento, muestran un excelente desempeño en la detección de rayos X y cumplen con los requisitos de detectores de rayos X de semiconductores de alto rendimiento, convirtiéndolos en detectores prometedores. Este artículo presenta las propiedades de materiales semiconductores de banda ancha como el carburo de silicio, nitruro de galio, diamante, óxido de galio y óxido de zinc, las técnicas de fabricación y los avances recientes en la investigación de detectores de rayos X, proporcionando referencia para futuras direcciones de investigación y aplicaciones potenciales en imagen médica, inspección industrial y exploración espacial.

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