Los detectores de rayos X de semiconductores de alto rendimiento deben tener un bajo límite de detección, baja corriente oscura, alta sensibilidad, respuesta rápida y fuerte resistencia a la radiación. Los semiconductores de banda ancha como el carburo de silicio, nitruro de galio, diamante, óxido de galio y óxido de zinc, debido a sus características como la amplia banda prohibida, alta movilidad electrónica, alta intensidad de campo de ruptura, alta velocidad de deriva saturada de portadores y alta energía de desplazamiento, muestran un rendimiento excepcional en la detección de rayos X, cumpliendo con los requisitos de detectores de rayos X de semiconductores de alto rendimiento, convirtiéndose en detectores de rayos X muy prometedores. Este artículo presenta las características de los materiales de semiconductores de banda ancha como el carburo de silicio, nitruro de galio, diamante, óxido de galio y óxido de zinc, las técnicas de fabricación y los últimos avances en la investigación de detectores de rayos X, proporcionando una referencia para las futuras direcciones de investigación y aplicaciones potenciales en imagen médica, inspección industrial y exploración espacial.

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