Les détecteurs de rayons X à semi-conducteurs haute performance doivent présenter des caractéristiques telles qu'une faible limite de détection, un faible courant d'obscurité, une haute sensibilité, une réponse rapide et une forte résistance au rayonnement. Les semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium, le nitrure de gallium, le diamant, l'oxyde de gallium et l'oxyde de zinc, en raison de leurs caractéristiques telles qu'une large largeur de bande interdite, une mobilité électronique élevée, une forte tension de claquage, une vitesse de dérive des porteurs saturée élevée et une énergie de déplacement importante, montrent d'excellentes performances dans la détection des rayons X. Ils répondent aux exigences des détecteurs de rayons X à semi-conducteurs haute performance et deviennent des détecteurs de rayons X très prometteurs. Cet article présente les propriétés des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium, le nitrure de gallium, le diamant, l'oxyde de gallium et l'oxyde de zinc, les techniques de fabrication et les dernières avancées dans la recherche des détecteurs de rayons X, fournissant une référence pour les futures directions de recherche et les applications potentielles en imagerie médicale, inspection industrielle et exploration spatiale.

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