Les détecteurs de rayons X à semi-conducteurs haute performance doivent présenter une faible limite de détection, un faible courant d'obscurité, une haute sensibilité, une réponse rapide et une forte résistance aux radiations. Les semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium, le nitrure de gallium, le diamant, l'oxyde de gallium et l'oxyde de zinc, en raison de leurs propriétés telles que la large largeur de bande interdite, la haute mobilité électronique, une forte tension de claquage, une grande vitesse de dérive saturée des porteurs et une grande énergie de déplacement, montrent d'excellentes performances dans la détection des rayons X, répondant aux exigences des détecteurs de rayons X à semi-conducteurs haute performance, devenant des détecteurs de rayons X très prometteurs. Cet article présente les caractéristiques des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite tels que le carbure de silicium, le nitrure de gallium, le diamant, l'oxyde de gallium et l'oxyde de zinc, les techniques de fabrication et les avancées récentes dans la recherche sur les détecteurs de rayons X, fournissant une référence pour les futures directions de recherche et les applications potentielles en imagerie médicale, inspection industrielle et exploration spatiale.

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