ZnO基透明导电薄膜

史钧达; 杨汝琪; 胡杜楠; 刘如敏; 余涛; 吕建国

doi:10.37188/CJL.20240271

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

ZnO基透明导电薄膜

特邀报告 | 更新时间：2025-04-21

- ZnO基透明导电薄膜
  增强出版
- ZnO-based Transparent Conductive Films
- 发光学报 2025年46卷第4期页码：597-614
- 作者机构：
  
  浙江大学材料科学与工程学院，硅及先进半导体材料全国重点实验室，浙江杭州 310058
- 作者简介：
  
  [ "史钧达（2002-），男，湖北随州人，硕士研究生，2024年于南京理工大学获得学士学位，主要从事ZnO基透明导电薄膜的研究。E-mail： 22426076@zju.edu.cn" ]
  [ "吕建国（1978-），男，山东滕州人，博士，副研究员，博士生导师，2005年于浙江大学获得博士学位，主要从事半导体薄膜与光电器件、电化学储能与能源系统、纳米材料与智能涂层的研究。 E-mail： lujianguo@zju.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  浙江省“尖兵领雁+X”研发攻关计划（2024C01252（SD2））
- DOI：10.37188/CJL.20240271
  中图分类号： O472
- CSTR：32170. 14. CJL. 20240271
- 收稿日期：2025-01-10，
  
  修回日期：2025-01-15，
  
  纸质出版日期：2025-04-25
- 稿件说明：
移动端阅览
史钧达,杨汝琪,胡杜楠等.ZnO基透明导电薄膜[J].发光学报,2025,46(04):597-614.

SHI Junda,YANG Ruqi,HU Dunan,et al.ZnO-based Transparent Conductive Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):597-614.
史钧达,杨汝琪,胡杜楠等.ZnO基透明导电薄膜[J].发光学报,2025,46(04):597-614. DOI： 10.37188/CJL.20240271. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240271.

SHI Junda,YANG Ruqi,HU Dunan,et al.ZnO-based Transparent Conductive Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(04):597-614. DOI： 10.37188/CJL.20240271. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240271.

摘要

ZnO是一种典型的第三代半导体材料，宽禁宽度3.37 eV。本征ZnO是一种n型半导体，采用施主元素掺杂技术可以显著提升其n型导电特性。ZnO基透明导电薄膜具有原料来源丰富、制备方法多样、可室温生长等优势，可应用于光电、传感、光热等诸多领域。其中，Al掺杂ZnO（AZO）是一种典型的透明导电氧化物（TCO），备受关注。本文以AZO薄膜为主要代表，综述了ZnO基透明导电薄膜的最新研究进展，包括掺杂ZnO单层薄膜、ZnO基多层薄膜、柔性ZnO基薄膜等不同类型透明导电薄膜的物理化学性质；重点探讨了ZnO基透明导电薄膜的迁移率、禁带宽度、透射率/吸收率/反射率等光电特性及其内在关系；详细介绍了ZnO基透明导电薄膜在发光二极管、太阳能电池、传感器、半导体加热等领域的应用情况；最后对存在的挑战和未来发展趋势进行了展望。

Abstract

ZnO is a typical third-generation semiconductor with a wide bandgap of 3.37 eV. Intrinsic ZnO is an n-type semiconductor， and the use of donor element doping technology can significantly enhance its n-type conductivity. ZnO-based transparent conductive thin films have the advantages of abundant raw material sources， diverse preparation methods， and room temperature growth， which can be applied in many fields such as optoelectronics， sensing， photothermal，

etc

. Among them， Al doped ZnO （AZO） is a typical transparent conductive oxide （TCO）， which has attracted much attention in recent years. This article takes AZO thin film as the main representative and summarizes the latest research progress of ZnO based transparent conductive films， including the physical and chemical properties of different types of transparent conductive thin films such as doped ZnO single-layer thin films， ZnO based multi-

layer thin films， and flexible ZnO based thin films. We focus on the optoelectronic properties （

e.g

.， mobility， bandgap width， transmittance/absorption/reflectivity） of ZnO based transparent conductive films， exploring their inherent relationships. The practical applications are introduced in detail for ZnO based transparent conductive films in the fields of light-emitting diodes， solar cells， sensors， semiconductor heating， and so on. The existing challenges and future development trends are also discussed.

关键词

Keywords

references

KIM I ， VISWANATHAN K ， KASI G ， et al . ZnO Nanostructures in active antibacterial food packaging： preparation methods， antimicrobial mechanisms， safety issues， future prospects， and challenges ［J］. Food Rev. Int. ， 2022 ， 38 （ 4 ）： 537 - 565 . doi: 10.1080/87559129.2020.1737709 http://dx.doi.org/10.1080/87559129.2020.1737709

KANG S K ， KANG D Y ， PARK J W ， et al . Work function-tunable ZnO/Ag/ZnO film as an effective hole injection electrode prepared via nickel doping for thermally activated delayed fluorescence-based flexible blue organic light-emitting diodes ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2021 ， 538 ： 148202 . doi: 10.1016/j.apsusc.2020.148202 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148202

MAGRIN MAFFEI R ， DI BONA A ， SYGLETOU M ， et al . Suppression of grain boundary contributions on carrier mobility in thin Al-doped ZnO epitaxial films ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2023 ， 624 ： 157133 . doi: 10.1016/j.apsusc.2023.157133 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157133

IDRIS M S ， SUBRAMANI S . Nanostructures multilayer MgO/ZnO thin film thermal interface material for LED applications： thermal， optical， and surface temperature performance ［J］. J. Mater. Sci.： Mater. Electron. ， 2021 ， 32 （ 12 ）： 16008 - 16023 . doi: 10.1007/s10854-021-06151-7 http://dx.doi.org/10.1007/s10854-021-06151-7

LIU X N ， GAO J ， GONG J H ， et al . Optoelectronic properties of an AZO/Ag multilayer employed as a flexible electrode ［J］. Ceram. Int. ， 2021 ， 47 （ 4 ）： 5671 - 5676 . doi: 10.1016/j.ceramint.2020.10.153 http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2020.10.153

XU K L ， LI P ， WANG S Y ， et al . Passivation of oxygen vacancy defects in conductive ZnO nanoparticles via low-temperature annealing in NF 3 ［J］. J. Phys. D： Appl. Phys. ， 2023 ， 56 （ 8 ）： 085301 . doi: 10.1088/1361-6463/acb4a5 http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/acb4a5

LI J W ， SATHASIVAM S ， TAYLOR A ， et al . Single step route to highly transparent， conductive and hazy aluminium doped zinc oxide films ［J］. RSC Adv. ， 2018 ， 8 （ 74 ）： 42300 - 42307 . doi: 10.1039/c8ra09338e http://dx.doi.org/10.1039/c8ra09338e

CHAABOUNI F ， KHALFALLAH B ， ABAAB M . Doping Ga effect on ZnO radio frequency sputtered films from a powder target ［J］. Thin Solid Films ， 2016 ， 617 ： 95 - 102 . doi: 10.1016/j.tsf.2015.12.047 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.12.047

SUN H ， JEN S U ， CHEN S C ， et al . The electrical stability of In-doped ZnO thin films deposited by RF sputtering ［J］. J. Phys. D： Appl. Phys. ， 2017 ， 50 （ 4 ）： 045102 . doi: 10.1088/1361-6463/aa5002 http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aa5002

CHO W J ， JOUNG Y H ， KANG S J . Effect of Ga doping concentrations， substrate temperatures and working pressures on the electrical and optical properties of ZnO thin films ［J］. J. Mater. Sci.： Mater. Electron. ， 2014 ， 25 （ 9 ）： 3901 - 3906 . doi: 10.1007/s10854-014-2105-x http://dx.doi.org/10.1007/s10854-014-2105-x

LU J G ， KAWAHARAMURA T ， NISHINAKA H ， et al . ZnO-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition ［J］. J. Cryst. Growth ， 2007 ， 299 （ 1 ）： 1 - 10 . doi: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.251 http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.251

LIN C F ， LIN M S ， CHEN C C ， et al . Characterization of the well-aligned ZnO nanorod structure on a pulsed laser deposited AlZnO seed layer ［J］. Surf. Coat. Technol. ， 2013 ， 231 ： 161 - 165 . doi: 10.1016/j.surfcoat.2012.07.020 http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.07.020

WANG M S ， LIANG W Q ， YANG Y F ， et al . Sol-gel derived transparent conducting ZnO∶Al thin films： effect of crystallite orientation on conductivity and self-assembled network texture ［J］. Mater. Chem. Phys. ， 2012 ， 134 （ 2-3 ）： 845 - 850 . doi: 10.1016/j.matchemphys.2012.03.079 http://dx.doi.org/10.1016/j.matchemphys.2012.03.079

HIRAHARA N ， ONWONA-AGYEMAN B ， NAKAO M . Preparation of Al-doped ZnO thin films as transparent conductive substrate in dye-sensitized solar cell ［J］. Thin Solid Films ， 2012 ， 520 （ 6 ）： 2123 - 2127 . doi: 10.1016/j.tsf.2011.08.100 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.08.100

LIN Y S ， LIEN S Y ， HUANG Y C ， et al . Effect of oxygen to argon flow ratio on the properties of Al-doped ZnO films for amorphous silicon thin film solar cell applications ［J］. Thin Solid Films ， 2013 ， 529 ： 50 - 53 . doi: 10.1016/j.tsf.2012.07.070 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2012.07.070

REZEK J ， NOVÁK P ， HOUŠKA J ， et al . High-rate reactive high-power impulse magnetron sputtering of transparent conductive Al-doped ZnO thin films prepared at ambient temperature ［J］. Thin Solid Films ， 2019 ， 679 ： 35 - 41 . doi: 10.1016/j.tsf.2019.04.009 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2019.04.009

VAN DE WALLE C G . Hydrogen as a cause of doping in zinc oxide ［J］. Phys. Rev. Lett. ， 2000 ， 85 （ 5 ）： 1012 - 1015 . doi: 10.1103/physrevlett.85.1012 http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.85.1012

MEYER B K ， ALVES H ， HOFMANN D M ， et al . Bound exciton and donor-acceptor pair recombinations in ZnO ［J］. Phys. Status Solidi B ， 2004 ， 241 （ 2 ）： 231 - 260 . doi: 10.1002/pssb.200301962 http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200301962

LU J G ， FUJITA S ， KAWAHARAMURA T ， et al . Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO∶Al films ［J］. J. Appl. Phys. ， 2007 ， 101 （ 8 ）： 083705 . doi: 10.1063/1.2721374 http://dx.doi.org/10.1063/1.2721374

SUN L R ， GRANT J T ， JONES J G ， et al . Tailoring electrical and optical properties of Al-doped ZnO thin films grown at room temperature by reactive magnetron co-sputtering： from band gap to near infrared ［J］. Opt. Mater. ， 2018 ， 84 ： 146 - 157 . doi: 10.1016/j.optmat.2018.06.024 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2018.06.024

CHENG K ， LIU J J ， JIN R R ， et al . Surface microstructure evolution of highly transparent and conductive Al-doped ZnO thin films and its application in CIGS solar cells ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2017 ， 409 ： 124 - 131 . doi: 10.1016/j.apsusc.2017.03.044 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.03.044

TSENG C A ， LIN J C ， CHANG Y F ， et al . Microstructure and characterization of Al-doped ZnO films prepared by RF power sputtering on Al and ZnO targets ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2012 ， 258 （ 16 ）： 5996 - 6002 . doi: 10.1016/j.apsusc.2012.02.061 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.02.061

LU J G ， YE Z Z ， ZENG Y J ， et al . Structural， optical， and electrical properties of （Zn， Al）O films over a wide range of compositions ［J］. J. Appl. Phys. ， 2006 ， 100 （ 7 ）： 073714 . doi: 10.1063/1.2357638 http://dx.doi.org/10.1063/1.2357638

YANG Y Q ， LI S Z ， LIU F ， et al . Optimization design of transparent conductive Al-doped ZnO and mechanism for performance-enhancing GaN light emitting diodes ［J］. Mater. Res. Express ， 2018 ， 5 （ 1 ）： 015906 . doi: 10.1088/2053-1591/aaa263 http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/aaa263

KIM D S ， PARK J H ， LEE S J ， et al . Effects of oxygen concentration on the properties of Al-doped ZnO transparent conductive films deposited by pulsed DC magnetron sputtering ［J］. Mater. Sci. Semicond. Process. ， 2013 ， 16 （ 3 ）： 997 - 1001 . doi: 10.1016/j.mssp.2013.02.012 http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2013.02.012

WEN B ， LIU C Q ， FEI W D ， et al . Effect of doped boron on the properties of ZnO thin films prepared by sol-gel spin coating ［J］. Chem. Res. Chin. Univ. ， 2014 ， 30 （ 3 ）： 509 - 512 . doi: 10.1007/s40242-014-3497-0 http://dx.doi.org/10.1007/s40242-014-3497-0

CHEN Y Y ， MENG F P ， GE F F ， et al . Ga-doped ZnO films by magnetron sputtering at ultralow discharge voltages： effects of defect annihilation ［J］. Thin Solid Films ， 2017 ， 644 ： 16 - 22 . doi: 10.1016/j.tsf.2017.05.055 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2017.05.055

SINGH A ， CHAUDHARY S ， PANDYA D K . High conductivity indium doped ZnO films by metal target reactive co-sputtering ［J］. Acta Mater. ， 2016 ， 111 ： 1 - 9 . doi: 10.1016/j.actamat.2016.03.012 http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2016.03.012

WU M Y ， YU S H ， HE L ， et al . Influence of oxygen pressure on the structural， electrical and optical properties of Nb-doped ZnO thin films prepared by pulsed laser deposition ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2014 ， 292 ： 219 - 224 . doi: 10.1016/j.apsusc.2013.11.119 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.11.119

EL MIR L ， GHRIBI F ， HAJIRI M ， et al . Multifunctional ZnO∶V thin films deposited by rf-magnetron sputtering from aerogel nanopowder target material ［J］. Thin Solid Films ， 2011 ， 519 （ 17 ）： 5787 - 5791 . doi: 10.1016/j.tsf.2010.12.198 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2010.12.198

TIRUMALAREDDYGARI S R ， GUDDETI P R ， RAMAKRISHNA REDDY K T . A critical study of the optical and electrical properties of transparent and conductive Mo-doped ZnO films by adjustment of Mo concentration ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2018 ， 458 ： 333 - 343 . doi: 10.1016/j.apsusc.2018.07.093 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.07.093

JIAMPRASERTBOON A ， POWELL M J ， DIXON S C ， et al . Photocatalytic and electrically conductive transparent Cl-doped ZnO thin films via aerosol-assisted chemical vapour deposition ［J］. J. Mater. Chem. A ， 2018 ， 6 （ 26 ）： 12682 - 12692 . doi: 10.1039/c8ta01420e http://dx.doi.org/10.1039/c8ta01420e

ROUSSET J ， SAUCEDO E ， LINCOT D . Extrinsic doping of electrodeposited zinc oxide films by chlorine for transparent conductive oxide applications ［J］. Chem. Mater. ， 2009 ， 21 （ 3 ）： 534 - 540 . doi: 10.1021/cm802765c http://dx.doi.org/10.1021/cm802765c

BINGEL A ， STEGLICH M ， NAUJOK P ， et al . Influence of the ZnO∶Al dispersion on the performance of ZnO∶Al/Ag/ZnO∶Al transparent electrodes ［J］. Thin Solid Films ， 2016 ， 616 ： 594 - 600 . doi: 10.1016/j.tsf.2016.09.032 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.09.032

VAN EEK S ， YAN X ， LI W M ， et al . Investigation of material properties and thermal stabilities of magnetron-sputter-deposited ZnO∶Al/Ag/ZnO∶Al transparent conductive coatings for thin-film solar cell applications ［J］. Jpn. J. Appl. Phys. ， 2017 ， 56 （ 8S2 ）： 08 MA12. doi: 10.7567/jjap.56.08ma12 http://dx.doi.org/10.7567/jjap.56.08ma12

CHU C H ， WU H W ， HUANG J L . Effect of annealing temperature and atmosphere on aluminum-doped ZnO/Au/aluminum-doped ZnO thin film properties ［J］. Thin Solid Films ， 2016 ， 605 ： 121 - 128 . doi: 10.1016/j.tsf.2015.11.043 http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.11.043

WANG Y P ， LU J G ， BIE X ， et al . Transparent conductive and near-infrared reflective Cu-based Al-doped ZnO multilayer films grown by magnetron sputtering at room temperature ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2011 ， 257 （ 14 ）： 5966 - 5971 . doi: 10.1016/j.apsusc.2011.01.068 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.01.068

HUANG J J ， WANG Y P ， LU J G ， et al . Transparent conductive Al-doped ZnO/Cu bilayer films grown on polymer substrates at room temperature ［J］. Chin. Phys. Lett. ， 2011 ， 28 （ 12 ）： 127306 . doi: 10.1088/0256-307x/28/12/127306 http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/28/12/127306

陆杨丹，吕建国，杨汝琪，等 . 透明导电ZnO∶Al/Cu网格复合膜及其电加热性能［J］. 物理学报， 2022 ， 71 （ 18 ）： 187304 . doi: 10.7498/aps.71.20220529 http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20220529

LU Y D ， LU J G ， YANG R Q ， et al . Transparent conductive ZnO∶Al/Cu mesh composite film and its electric heating performance ［J］. Acta Phys. Sinica ， 2022 ， 71 （ 18 ）： 187304 . （in Chinese） . doi: 10.7498/aps.71.20220529 http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20220529

JANG C ， YE Z Z ， LÜ J G . Highly transparent low resistance Ga doped ZnO/Cu grid double layers prepared at room temperature ［J］. J. Semicond. ， 2015 ， 36 （ 12 ）： 123003 . doi: 10.1088/1674-4926/36/12/123003 http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/36/12/123003

JANG C ， JIANG Q J ， LU J G ， et al . Structural， optical and electrical properties of Ga doped ZnO/Cu grid/Ga doped ZnO transparent electrodes ［J］. J. Mater. Sci. Technol. ， 2015 ， 31 （ 11 ）： 1108 - 1110 . doi: 10.1016/j.jmst.2015.07.018 http://dx.doi.org/10.1016/j.jmst.2015.07.018

GONG L ， LU J G ， YE Z Z . Study on the structural， electrical， optical， adhesive properties and stability of Ga-doped ZnO transparent conductive films deposited on polymer substrates at room temperature ［J］. J. Mater. Sci.： Mater. Electron. ， 2013 ， 24 （ 1 ）： 148 - 152 . doi: 10.1007/s10854-012-0969-1 http://dx.doi.org/10.1007/s10854-012-0969-1

GONG L ， LU J G ， YE Z Z . Room-temperature growth and optoelectronic properties of GZO/ZnO bilayer films on polycarbonate substrates by magnetron sputtering ［J］. Sol. Energy Mater. Sol. Cells ， 2010 ， 94 （ 7 ）： 1282 - 1285 . doi: 10.1016/j.solmat.2010.03.026 http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2010.03.026

GONG L ， LU J G ， YE Z Z . Transparent and conductive Ga-doped ZnO films grown by RF magnetron sputtering on polycarbonate substrates ［J］. Sol. Energy Mater. Sol. Cells ， 2010 ， 94 （ 6 ）： 937 - 941 . doi: 10.1016/j.solmat.2010.02.026 http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2010.02.026

WANG Y P ， LU J G ， BIE X ， et al . Transparent conductive Al-doped ZnO thin films grown at room temperature ［J］. J. Vac. Sci. Technol. A ， 2011 ， 29 （ 3 ）： 031505 . doi: 10.1116/1.3565462 http://dx.doi.org/10.1116/1.3565462

PAL S ， BASAK D . Interaction of an ultrathin zinc surface passivation layer with a room temperature-deposited Al-doped ZnO film leading to highly improved electrical transport properties ［J］. J. Phys. Chem. C ， 2023 ， 127 （ 29 ）： 14439 - 14449 . doi: 10.1021/acs.jpcc.3c02329 http://dx.doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c02329

MENDIL D ， CHALLALI F ， TOUAM T ， et al . Preparation of RF sputtered AZO/Cu/AZO multilayer films and the investigation of Cu thickness and substrate effects on their microstructural and optoelectronic properties ［J］. J. Alloy. Compd. ， 2021 ， 860 ： 158470 . doi: 10.1016/j.jallcom.2020.158470 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.158470

THABIT H A ， KABIR N A ， AHMED N M . Synthesis & thermoluminescence characteristics & structural and optical studies of ZnO/Ag/ZnO system for dosimetric applications ［J］. J. Lumin. ， 2021 ， 236 ： 118097 . doi: 10.1016/j.jlumin.2021.118097 http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118097

MA Q B ， YE Z Z ， HE H P ， et al . Effects of deposition pressure on the properties of transparent conductive ZnO∶Ga films prepared by DC reactive magnetron sputtering ［J］. Mater. Sci. Semicond. Process ， 2007 ， 10 （ 4-5 ）： 167 - 172 . doi: 10.1016/j.mssp.2007.11.001 http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2007.11.001

LI F S ， LIN Z X ， ZHANG B B ， et al . Fabrication of flexible conductive graphene/Ag/Al-doped zinc oxide multilayer films for application in flexible organic light-emitting diodes ［J］. Org. Electron. ， 2013 ， 14 （ 9 ）： 2139 - 2143 . doi: 10.1016/j.orgel.2013.05.023 http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2013.05.023

LU J G ， FUJITA S ， KAWAHARAMURA T ， et al . Carrier concentration induced band-gap shift in Al-doped Zn 1- x Mg x O thin films ［J］. Appl. Phys. Lett. ， 2006 ， 89 （ 26 ）： 262107 . doi: 10.1063/1.2424308 http://dx.doi.org/10.1063/1.2424308

ZHUGE F ， ZHU L P ， YE Z Z ， et al . Al concentration dependence of electrical and photoluminescent properties of co-doped ZnO films ［J］. Chem. Phys. Lett. ， 2007 ， 437 （ 4-6 ）： 203 - 206 . doi: 10.1016/j.cplett.2007.02.036 http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2007.02.036

GONG L ， YE Z Z ， LU J G ， et al . Highly transparent conductive and near-infrared reflective ZnO∶Al thin films ［J］. Vacuum ， 2010 ， 84 （ 7 ）： 947 - 952 . doi: 10.1016/j.vacuum.2010.01.010 http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2010.01.010

CHEN X T ， WU D ， WANG J T ， et al . A highly transparent laminated composite cathode for organic light-emitting diodes ［J］. Appl. Phys. Lett. ， 2021 ， 119 （ 7 ）： 073301 . doi: 10.1063/5.0057184 http://dx.doi.org/10.1063/5.0057184

CHEN D ， LU J G ， LU R K ， et al . High-performance GaN-based LEDs with AZO/ITO thin films as transparent contact layers ［J］. IEEE Trans. Electron Devices ， 2017 ， 64 （ 6 ）： 2549 - 2555 . doi: 10.1109/ted.2017.2693499 http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2693499

LEE D ， SONG M S ， SEO Y H ， et al . Highly transparent red organic light-emitting diodes with AZO/Ag/AZO multilayer electrode ［J］. Micromachines ， 2024 ， 15 （ 1 ）： 146 . doi: 10.3390/mi15010146 http://dx.doi.org/10.3390/mi15010146

SILVA H D O X ， FARACO T A ， MACIEL I O ， et al . High optoelectronic quality of AZO films grown by RF-magnetron sputtering for organic electronics applications ［J］. Semicond. Sci. Technol. ， 2023 ， 38 （ 6 ）： 065004 . doi: 10.1088/1361-6641/acd13d http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/acd13d

MA Z G ， CUI P P ， JIA Z Y ， et al . Enhanced electroluminescence from ZnO quantum dot light-emitting diodes by introducing AZO/Ag NWs/AZO composite film cathode ［J］. J. Mater. Sci.： Mater. Electron. ， 2023 ， 34 （ 18 ）： 1431 . doi: 10.1007/s10854-023-10845-5 http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10845-5

FANGSUWANNARAK T ， LAOHAWIROJ S ， RATTANAWICHAI P ， et al . Silicon dots films deposited by spin-coating as a generated carrier addition layer of third generation photovoltaics ［J］. Prog. Nat. Sci.： Mater. Int. ， 2021 ， 31 （ 2 ）： 192 - 200 . doi: 10.1016/j.pnsc.2020.11.008 http://dx.doi.org/10.1016/j.pnsc.2020.11.008

PARAMANIK B ， SAMANTA S ， DAS D . Near room-temperature synthesis of transparent conducting fluorine-doped ZnO thin films as window layer for solar cells ［J］. Opt. Mater. ， 2022 ， 133 ： 112961 . doi: 10.1016/j.optmat.2022.112961 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2022.112961

JIANG Q J ， LU J G ， YUAN Y L ， et al . Enhancement of the light trapping by double-layered surface texture of ITO/AZO and AZO/AZO transparent conductive films ［J］. Mater. Lett. ， 2014 ， 123 ： 14 - 18 . doi: 10.1016/j.matlet.2014.02.074 http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2014.02.074

JIANG Q J ， LU J G ， ZHANG J ， et al . Texture surfaces and etching mechanism of ZnO∶Al films by a neutral agent for solar cells ［J］. Sol. Energy Mater. Sol. Cells ， 2014 ， 130 ： 264 - 271 . doi: 10.1016/j.solmat.2014.07.024 http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2014.07.024

JIANG Q J ， LU J G ， ZHANG J ， et al . Texture-etched broad surface features of double-layered ZnO∶Al transparent conductive films for high haze values ［J］. J. Alloy. Compd. ， 2014 ， 596 ： 107 - 112 . doi: 10.1016/j.jallcom.2013.12.220 http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.12.220

JIANG Q J ， LU J G ， YE Z Z . Plasma-induced surface textures of ZnO∶Al transparent conductive films ［J］. Vacuum ， 2015 ， 111 ： 42 - 47 . doi: 10.1016/j.vacuum.2014.09.016 http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2014.09.016

WU Z P ， DUAN W Y ， LAMBERTZ A ， et al . Low-resistivity p-type a-Si∶H/AZO hole contact in high-efficiency silicon heterojunction solar cells ［J］. Appl. Surf. Sci. ， 2021 ， 542 ： 148749 . doi: 10.1016/j.apsusc.2020.148749 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148749

ZEPEDA MEDINA J C ， ROSENDO ANDRÉS E ， MORALES RUÍZ C ， et al . Performance simulation of solar cell based on AZO/CdTe heterostructure by SCAPS 1D software ［J］. Heliyon ， 2023 ， 9 （ 3 ）： e14547 . doi: 10.1016/j.heliyon.2023.e14547 http://dx.doi.org/10.1016/j.heliyon.2023.e14547

MEDINA J C Z ， ANDRÉS E R ， ESPINOSA E C ， et al . Theoretical improvement of the energy conversion efficiency of an AZO/CdTe heterojunction solar cell to over 27% by incorporating FeSi 2 as a second absorber layer ［J］. Phys. Scr. ， 2024 ， 99 （ 11 ）： 115987 .

MISRA P ， ATCHUTA S R ， MANDATI S ， et al . A non-vacuum dip coated SiO 2 interface layer for fabricating CIGS solar cells on stainless steel foil substrates ［J］. Sol. Energy ， 2021 ， 214 ： 471 - 477 . doi: 10.1016/j.solener.2020.12.007 http://dx.doi.org/10.1016/j.solener.2020.12.007

SELMANE N ， CHEKNANE A ， KHEMLOUL F ， et al . Cost-saving and performance-enhancement of CuInGaSe solar cells by adding CuZnSnSe as a second absorber ［J］. Sol. Energy ， 2022 ， 234 ： 64 - 80 . doi: 10.1016/j.solener.2022.01.072 http://dx.doi.org/10.1016/j.solener.2022.01.072

PARK H ， ALHAMMADI S ， REDDY V R M ， et al . Influence of the Al-doped ZnO sputter-deposition temperature on Cu（In， Ga）Se 2 solar cell performance ［J］. Nanomaterials ， 2022 ， 12 （ 19 ）： 3326 . doi: 10.3390/nano12193326 http://dx.doi.org/10.3390/nano12193326

OZEL K ， ATILGAN A ， YILDIZ A . Multi-layered blocking layers for dye sensitized solar cells ［J］. J. Photochem. Photobiol. A： Chem. ， 2024 ， 448 ： 115297 . doi: 10.1016/j.jphotochem.2023.115297 http://dx.doi.org/10.1016/j.jphotochem.2023.115297

LIN Y S ， TENG C H ， JAMES Y C T . Improving the uniform distribution of nano-Ag in Al-doped ZnO film to enhance its application in soft touch sensing electrodes ［J］. J. Electron. Mater. ， 2023 ， 52 （ 12 ）： 7907 - 7919 . doi: 10.1007/s11664-023-10704-3 http://dx.doi.org/10.1007/s11664-023-10704-3

ALI D ， MUNEER I ， BUTT M Z . Influence of aluminum precursor nature on the properties of AZO thin films and its potential application as oxygen sensor ［J］. Opt. Mater. ， 2021 ， 120 ： 111406 . doi: 10.1016/j.optmat.2021.111406 http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2021.111406

YANG C C ， HU C M . Influence of buffer layer on nitrogen doped AZO relative humidity sensor with p-n heterojunction structure ［J］. Mater. Sci. Semicond. Process. ， 2023 ， 164 ： 107567 . doi: 10.1016/j.mssp.2023.107567 http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107567

GAO W X ， CHANG X T ， ZHU X J ， et al . Al-doped ZnO/WO 3 heterostructure films prepared by magnetron sputtering for isopropanol sensors ［J］. Rare Metals ， 2024 ， 43 （ 1 ）： 247 - 256 . doi: 10.1007/s12598-023-02406-w http://dx.doi.org/10.1007/s12598-023-02406-w

CHEN W C ， NIU J S ， LIU I P ， et al . Study of a palladium （Pd）/aluminum-doped zinc oxide （AZO） hydrogen sensor and the Kalman algorithm for internet-of-things （IoT） application ［J］. IEEE Trans. Electron Devices ， 2020 ， 67 （ 10 ）： 4405 - 4412 . doi: 10.1109/ted.2020.3018084 http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3018084

KUNDU S ， MAJUMDER R ， GHOSH R ， et al . Enhanced relative humidity sensing property of porous Al∶ZnO thin films ［J］. Mater. Today： Proc. ， 2020 ， 26 ： 138 - 141 . doi: 10.1016/j.matpr.2019.03.235 http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2019.03.235

KIM G ， LIM J W ， LEE J ， et al . Flexible multilayered transparent electrodes with less than 50 nm thickness using nitrogen-doped silver layers for flexible heaters ［J］. Mater. Res. Bull. ， 2022 ， 149 ： 111703 . doi: 10.1016/j.materresbull.2021.111703 http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2021.111703

CHOI H J ， PARK B J ， EOM J H ， et al . Simultaneous realization of electromagnetic interference shielding， hydrophobic qualities， and strong antibacterial activity for transparent electronic devices ［J］. Curr. Appl. Phys. ， 2016 ， 16 （ 12 ）： 1642 - 1648 . doi: 10.1016/j.cap.2016.10.005 http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2016.10.005

ZHANG C ， XIONG D Y ， XU S H ， et al . Highly efficient field emission from indium-doped ZnO nanostructure on nanographene/macroporous electric conductive network ［J］. Mater. Lett. ， 2018 ， 222 ： 25 - 28 . doi: 10.1016/j.matlet.2018.03.181 http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2018.03.181

G-BERASATEGUI E ， ZUBIZARRETA C ， MENDIZABAL L ， et al . TiO 2 /AZO bilayer thin films by magnetron sputtering as transparent electrodes for electrochromic devices ［J］. Vacuum ， 2018 ， 151 ： 108 - 115 . doi: 10.1016/j.vacuum.2018.02.003 http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.02.003

LEE D H ， RYU H ， KWON S J ， et al . Process optimization of aluminum-doped zinc oxide films by in-line pulsed-DC sputtering and its application to resistive touch panels ［J］. Sci. Adv. Mater. ， 2020 ， 12 （ 11 ）： 1607 - 1612 .

WANG L ， WANG L Y ， HU L J ， et al . Electrochromic and thermal-control broadband stealth device based on AZO/Ag/AZO configuration electrodes ［J］. Chin. J. Phys. ， 2024 ， 89 ： 1890 - 1898 . doi: 10.1016/j.cjph.2024.05.016 http://dx.doi.org/10.1016/j.cjph.2024.05.016

CINALI M B ， COŞKUN Ö D . Improved infrared reflection properties of aluminum-doped zinc oxide thin films depending on sputtering pressure for low emissivity applications ［J］. Mater. Sci. Eng. B ， 2023 ， 288 ： 116178 . doi: 10.1016/j.mseb.2022.116178 http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2022.116178

LI M L ， WANG Y B ， WANG Y ， et al . AZO/Ag/AZO transparent flexible electrodes on mica substrates for high temperature application ［J］. Ceram. Int. ， 2017 ， 43 （ 17 ）： 15442 - 15446 . doi: 10.1016/j.ceramint.2017.08.089 http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2017.08.089

浏览量

124

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

氧化锌基光电化学传感器研究进展

ZnO基器件中的负光电导特性研究

ZnO强耦合微腔中的激子极化激元

基于频率-分辨干涉自相关区分ZnO F-P微腔的二次谐波和多光子荧光