El ZnO es un material semiconductor típico de tercera generación, con una anchura de banda prohibida de 3,37 eV. El ZnO intrínseco es un semiconductor tipo n, y el dopaje con elementos donantes puede mejorar significativamente sus propiedades de conducción tipo n. Las películas conductoras transparentes basadas en ZnO tienen ventajas como la abundancia de materias primas, diversidad de métodos de preparación y crecimiento a temperatura ambiente, y se pueden aplicar en muchos campos como fotónica, sensores, fototermia, entre otros. Entre ellas, el ZnO dopado con Al (AZO) es un óxido conductor transparente típico que ha recibido mucha atención. Este artículo revisa los avances recientes en las películas conductoras transparentes basadas en ZnO, incluyendo las propiedades físico-químicas de películas dopadas monolayer de ZnO, películas multicapa basadas en ZnO, películas flexibles basadas en ZnO y otros tipos diferentes de películas conductoras transparentes; se centra en discutir la movilidad, la anchura de la banda prohibida, la transmitancia/absorción/reflexión y sus relaciones intrínsecas; describe detalladamente las aplicaciones de las películas conductoras transparentes basadas en ZnO en diodos emisores de luz, células solares, sensores, calentamiento semiconductor; y finalmente analiza los retos existentes y las tendencias futuras.

óxido de zinc; película conductora transparente; dopaje donante; AZO; propiedades optoelectrónicas