El ZnO es un material semiconductor típico de tercera generación, con un ancho de banda prohibido de 3.37 eV. El ZnO intrínseco es un semiconductor tipo n, y mediante la técnica de dopaje con elementos donadores se puede mejorar significativamente su conductividad tipo n. Las películas conductoras transparentes basadas en ZnO tienen ventajas como abundancia en materias primas, métodos de preparación diversos y la posibilidad de crecimiento a temperatura ambiente, y se aplican en diversos campos como fotónica, sensores y tecnologías foto-térmicas. El ZnO dopado con Al (AZO) es un óxido conductor transparente típico (TCO) que recibe mucha atención. Este artículo, tomando como principal referencia las películas AZO, revisa los últimos avances en investigaciones de películas conductoras transparentes basadas en ZnO, incluyendo películas monocapa dopadas con ZnO, películas multicapa basadas en ZnO y películas flexibles basadas en ZnO, así como sus propiedades físico-químicas; se centra en discutir la movilidad, la banda prohibida, la transmitancia/absorción/reflectancia y sus relaciones; describe en detalle las aplicaciones de las películas conductoras transparentes basadas en ZnO en diodos emisores de luz, células solares, sensores, calefacción semiconductor; finalmente, presenta los desafíos existentes y las tendencias futuras de desarrollo.

óxido de zinc;películas conductoras transparentes;dopaje donador;AZO;propiedades fotoeléctricas