Le ZnO est un matériau semi-conducteur typique de troisième génération, avec une largeur de bande interdite de 3,37 eV. Le ZnO intrinsèque est un semi-conducteur de type n, et le dopage avec des éléments donneurs peut considérablement améliorer ses propriétés de conduction de type n. Les films conducteurs transparents à base de ZnO présentent des avantages tels que l'abondance des matières premières, la diversité des méthodes de préparation, et la possibilité de croissance à température ambiante, et peuvent être appliqués dans de nombreux domaines tels que la photonique, la détection, et la photothermie. Parmi eux, le ZnO dopé à l'aluminium (AZO) est un oxyde conducteur transparent (TCO) typique qui attire une grande attention. Cet article passe en revue les avancées récentes dans les films conducteurs transparents à base de ZnO, notamment les propriétés physico-chimiques des films simples dopés au ZnO, des films multicouches à base de ZnO, des films flexibles à base de ZnO, et d'autres types de films conducteurs transparents ; il met l'accent sur la mobilité, la largeur de bande interdite, la transmissivité/l’absorption/la réflectivité et leurs relations intrinsèques ; décrit en détail les applications des films conducteurs transparents à base de ZnO dans les diodes électroluminescentes, les cellules solaires, les capteurs, le chauffage semi-conducteur ; et conclut par un aperçu des défis existants et des tendances futures.

oxyde de zinc; film conducteur transparent; dopage donneur; AZO; propriétés optoélectroniques