ZnO ist ein typisches Halbleitermaterial der dritten Generation mit einer Bandlücke von 3,37 eV. Intrinsisches ZnO ist ein n-Typ-Halbleiter, und durch Dotierung mit Donatorelementen können die n-Typ-Leitungseigenschaften deutlich verbessert werden. ZnO-basierte transparente leitfähige Filme zeichnen sich durch reichliche Rohstoffquellen, vielfältige Herstellungsmethoden und Möglichkeit der Zimmertemperaturabscheidung aus und finden Anwendung in Bereichen wie Optoelektronik, Sensorik und Photothermie. Besonders das mit Al dotierte ZnO (AZO) ist ein typisches transparentes leitfähiges Oxid (TCO), das viel Aufmerksamkeit erhält. Dieser Artikel gibt einen Überblick über die neuesten Forschungsergebnisse zu ZnO-basierten transparenten leitfähigen Filmen, einschließlich der physikalisch-chemischen Eigenschaften von dotierten ZnO-Einherschichtfilmen, ZnO-basierten Mehrschichtfilmen, flexiblen ZnO-basierten Filmen und anderen verschiedenen Arten transparenter leitfähiger Filme; es wird besonders auf die Beweglichkeit, Bandlückenbreite, Transmissions-/Absorptions-/Reflexionseigenschaften und deren innere Zusammenhänge eingegangen; detailliert werden die Anwendungen von ZnO-basierten transparenten leitfähigen Filmen in Leuchtdioden, Solarzellen, Sensoren und Halbleiterheizungen beschrieben; abschließend werden bestehende Herausforderungen und zukünftige Entwicklungstrends erörtert.

Zinkoxid; transparente leitfähige Filme; Donordotierung; AZO; optoelektronische Eigenschaften