ZnO ist ein typisches Halbleitermaterial der dritten Generation mit einer breiten Bandlücke von 3,37 eV. Intrinsisches ZnO ist ein n-Typ-Halbleiter, und durch Dotierung mit Donatorelementen kann seine n-Typ-Leitfähigkeit erheblich verbessert werden. Auf ZnO basierende transparente leitfähige Filme besitzen Vorteile wie reichhaltige Rohstoffquellen, vielfältige Herstellungsmethoden und Wachstumsfähigkeit bei Raumtemperatur und finden Anwendung in vielen Bereichen wie Optoelektronik, Sensorik und photothermischen Anwendungen. Aluminium-dotiertes ZnO (AZO) ist ein typisches transparent leitfähiges Oxid (TCO), das große Aufmerksamkeit erhält. Dieser Artikel gibt einen Überblick über die neuesten Forschungsergebnisse zu transparent leitfähigen ZnO-basierten Filmen mit Schwerpunkt auf AZO-Filmen, einschließlich dotierter einzelliger ZnO-Filme, mehrschichtiger ZnO-Filme, flexibler ZnO-Filme und deren physikalisch-chemischen Eigenschaften; es werden die Beweglichkeit, Bandlücke, Transmissions-/Absorptions-/Reflexionseigenschaften und deren Zusammenhänge detailliert behandelt; außerdem werden Anwendungen in Leuchtdioden, Solarzellen, Sensoren und Halbleiterheizungen beschrieben; abschließend werden bestehende Herausforderungen und zukünftige Entwicklungstrends dargestellt.

Zinkoxid;transparente leitfähige Filme;Donor Dotierung;AZO;optische und elektrische Eigenschaften