Se realizó una simulación física bidimensional del dispositivo fotoeléctrico basado en la heteroestructura Ga₂O₃/VO₂ utilizando el software COMSOL multiphysics. Se analizaron y reportaron las curvas de dopaje, los diagramas de niveles de energía, la distribución del campo eléctrico y la distribución del potencial del dispositivo fotoeléctrico basado en la heteroestructura Ga₂O₃/VO₂ controlada por la transición de fase VO₂. Se exploró la aplicación del dispositivo en detectores fotoeléctricos, donde la simulación mostró una respuesta máxima de 0,068 A/W bajo un voltaje de polarización de 1 V y una iluminación de 10 μW, con una relación de supresión (R_{250 nm}/R_{450 nm}) de aproximadamente 10⁵. Estos datos de simulación son útiles para la optimización adicional de la investigación experimental y la aplicación de fotodiodos Ga₂O₃/VO₂.

Heteroestructura Ga₂O₃/VO₂;COMSOL;Transición de fase VO₂;Estructura de niveles de energía;Simulación